4-fluorophenyldiphenylsulfonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-hydroxypropane-1-sulfonate | 1261290-17-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 4-fluorophenyldiphenylsulfonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-hydroxypropane-1-sulfonate
• 英文别名: 4-fluorophenyldiphenylsulfonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-hydroxypropanesulfonate；4-Fluorophenyldiphenylsulfonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-hydroxypropanesulfonate；(4-fluorophenyl)-diphenylsulfanium;1,1,3,3,3-pentafluoro-2-hydroxypropane-1-sulfonate
• CAS: 1261290-17-8
• 化学式: C₃H₂F₅O₄S*C₁₈H₁₄FS
• 分子量: 510.478
• InChiKey: JUCXMZXLKYWEGI-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.97
• 重原子数：
  33
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.14
• 拓扑面积：
  86.8
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  10

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  对溴氟苯 在 三甲基氯硅烷 、 水 、 sodium hydroxide 作用下， 以 二氯甲烷 、 水 为溶剂， 反应 1.5h， 生成 4-fluorophenyldiphenylsulfonium 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-hydroxypropane-1-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  SULFONIUM SALT-CONTAINING POLYMER, RESIST COMPOSITION, PATTERNING PROCESS, AND SULFONIUM SALT MONOMER AND MAKING METHOD

  摘要：

  一种含有4-氟苯基的磺鎵盐被引入到聚合物中，该聚合物包含羟基苯基（甲基）丙烯酸酯单元和含酸性易裂解基团的（甲基）丙烯酸酯单元，形成一种聚合物，可用作抗蚀剂组成中的基础树脂。抗蚀剂组成具有高灵敏度、高分辨率和最小化LER。

  公开号：

  US20140296561A1

文献信息

• SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHSAWA Youichi

  公开号：US20110008735A1

  公开（公告）日：2011-01-13

  A sulfonium salt having a triphenylsulfonium cation and a sulfite anion within the molecule is best suited as a photoacid generator in chemically amplified resist compositions. Upon exposure to high-energy radiation, the sulfonium salt generates a sulfonic acid, which facilitates efficient scission of acid labile groups in chemically amplified positive resist compositions. Because of substantial non-volatility under high vacuum conditions in the EB or EUV lithography, the risk of the exposure tool being contaminated is minimized.

  分子中含有三苯基磺鎵阳离子和亚硫酸盐阴离子的磺鎵盐，在化学增感抗蚀剂组合物中最适合作为光酸发生剂。当暴露于高能辐射时，磺鎵盐会生成磺酸，促进化学增感正向抗蚀剂组合物中酸不稳定基团的高效断裂。由于在电子束或极紫外光刻技术下，磺鎵盐具有相当的非挥发性，因此减少了暴露工具被污染的风险。
• Sulfonium salt, resist composition, and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US08173354B2

  公开（公告）日：2012-05-08

  A sulfonium salt having a triphenylsulfonium cation and a sulfite anion within the molecule is best suited as a photoacid generator in chemically amplified resist compositions. Upon exposure to high-energy radiation, the sulfonium salt generates a sulfonic acid, which facilitates efficient scission of acid labile groups in chemically amplified positive resist compositions. Because of substantial non-volatility under high vacuum conditions in the EB or EUV lithography, the risk of the exposure tool being contaminated is minimized.

  分子中含有三苯基磺鎓阳离子和亚磺酸盐阴离子的磺鎓盐是化学增感抗蚀剂组合物中最适合用作光酸发生剂的。在高能辐射的照射下，磺鎓盐会产生磺酸，从而促进化学增感正向抗蚀剂组合物中酸不稳定基团的高效裂解。由于在EB或EUV光刻术中高真空条件下具有相当的非挥发性，因此减少了曝光工具被污染的风险。
• Sulfonium salt-containing polymer, resist composition, patterning process, and sulfonium salt monomer and making method
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2455811B1

  公开（公告）日：2016-01-13
• US8173354B2
  申请人：——

  公开号：US8173354B2

  公开（公告）日：2012-05-08
• US8785105B2
  申请人：——

  公开号：US8785105B2

  公开（公告）日：2014-07-22