Perfluormesidin | 56188-16-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: Perfluormesidin
• 英文别名: 3,5-Difluoro-2,4,6-tris(trifluoromethyl)aniline
• CAS: 56188-16-0
• 化学式: C₉H₂F₁₁N
• 分子量: 333.104
• InChiKey: OVWNYOWQHNRKCU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.1
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  26
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  12

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Perfluormesidin 生成 N-Acetylperfluormesidin
  参考文献：
  名称：

  Karpon, V. M.; Ermolenko, N. V.; Platonov, V. E., Zhurnal Organicheskoi Khimii, 1975, vol. 11, p. 1040 - 1044

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  全氟-(1,3,5-三甲基苯) 在 氨 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 Perfluormesidin
  参考文献：
  名称：

  Karpov,V.M. et al., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1975, vol. 11, # 5, p. 1040 - 1044

  摘要：

  DOI：

文献信息

• COMPOUND OF FORMULA (I), A SEMICONDUCTOR MATERIAL COMPRISING AT LEAST ONE COMPOUND OF FORMULA (I), AN SEMICONDUCTOR LAYER COMPRISING AT LEAST ONE COMPOUND OF FORMULA (I) AND AN ELECTRONIC DEVICE COMPRISING AT LEAST ONE COMPOUND OF FORMULA (I)
  申请人：Novaled GmbH

  公开号：EP3945125A1

  公开（公告）日：2022-02-02

  The present invention relates to a compound of Formula (I), a semiconductor material comprising at least one compound of Formula (I), an semiconductor layer comprising at least one compound of Formula (I) and an electronic device comprising at least one compound of Formula (I).

  本发明涉及一种式（I）化合物、一种包含至少一种式（I）化合物的半导体材料、一种包含至少一种式（I）化合物的半导体层和一种包含至少一种式（I）化合物的电子设备。
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: F: PerFHalOrg.7, 1, page 1 - 84
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Savchenko,T.I. et al., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1979, vol. 15, p. 915 - 919
  作者：Savchenko,T.I. et al.

  DOI：——

  日期：——
• Karpov,V.M. et al., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1975, vol. 11, # 5, p. 1040 - 1044
  作者：Karpov,V.M. et al.

  DOI：——

  日期：——
• Karpon, V. M.; Ermolenko, N. V.; Platonov, V. E., Zhurnal Organicheskoi Khimii, 1975, vol. 11, p. 1040 - 1044
  作者：Karpon, V. M.、Ermolenko, N. V.、Platonov, V. E.、Yakobson, G. G.

  DOI：——

  日期：——