bromomethyldiphenylgermane | 27663-93-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: bromomethyldiphenylgermane
• 英文别名: Bromo-methyl-diphenylgermane
• CAS: 27663-93-0
• 化学式: C₁₃H₁₃BrGe
• 分子量: 321.74
• InChiKey: LAWNDMWYEFSEIB-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  317.9±25.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.77
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.08
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bromomethyldiphenylgermane 以 四氢呋喃 、 六甲基磷酰三胺 为溶剂， 以98%的产率得到methyl(diphenyl)germanium
  参考文献：
  名称：

  Development of novel and efficient synthesis of group 14 element (Ge and Sn) catenates by use of samarium (II) diiodide

  摘要：

  Group 14 element catenates such as di-, tri-, poly-germanes, and polystannanes are efficiently synthesized by use of the one-electron reducing agent Sml(2) under mild homogeneous conditions in good yields. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

  DOI：

  10.1016/j.jorganchem.2004.12.032
• 作为产物：
  描述：

  甲基(三苯基)锗烷 、 溴 生成 bromomethyldiphenylgermane
  参考文献：
  名称：

  AKTOGY N.; DAVIES S. G.; DUBAC J.; MAZEROLLES P., J. ORGANOMETAL. CHEM., 1981, 212, NO 1, C13-C15

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Electrochemical reduction of triorganohalo-silanes and -germanes
  作者：R.J.P. Corriu、G. Dabosi、M. Martineau

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)83697-9

  日期：1980.4
• New poly[(silylene)diacetylenes] and poly[(germylene)diacetylenes]: synthesis and conductive properties
  作者：J. L. Brefort、R. J. P. Corriu、P. Gerbier、C. Guerin、B. J. L. Henner、A. Jean、T. Kuhlmann、F. Garnier、A. Yassar

  DOI：10.1021/om00043a037

  日期：1992.7

  The reaction of dilithiobutadiyne (or the corresponding di-Grignard reagent) with various dichlorosilanes and dibromogermanes in THF at room temperature afforded poly[(silylene)diacetylenes] and poly[(germylene)diacetylenes], respectively, in high yields. The polymers have a regular alternating arrangement of diyne and silylene or germylene units. When they are doped with FeCl3, these polymers show conductivity values in the range 10(-5)-10(-3) S.cm-1. The values depend greatly on the electronic character of the substituents bonded to silicon or germanium.