β-烷基取代的二噻吩并[2,3- d ; 2',3'-d ']苯并[1,2- b ; 4,5- b ']二噻吩半导体材料及其在溶液加工有机晶体管中的应用
摘要:
一种新颖的高度π-延伸的杂并苯,其具有四个对称稠合的噻吩环单元,并且在中心环的末端β-位具有可溶取代基,二噻吩并[2,3- d ; 2',3'-d ']苯并[1,通过分子内亲电偶联反应合成了2- b ; 4,5- b ']二噻吩(DTBDT)。DTBDT基序中的α位置可用性使得能够制备可溶液处理的基于DTBDT的聚合物,例如PDTBDT,PDTBDT-BT,PDTBDT-DTBT和PDTBDT-DTDPP。即使具有高度扩展的并苯类π骨架,所有聚合物在-5.21至-5.59 eV范围内的最高占据分子轨道(HOMO)仍显示出相当好的环境稳定性。在我们评估半导体特性的研究过程中,通过溶液法表征了四种含DTBDT的共聚物的场效应晶体管性能,PDTBDT-DTDPP表现出最佳的电性能,空穴迁移率为1.70×10 –2 cm 2 V –1 s –1。PDTBDT-DTDPP对于来自金电极的孔而言,具有
β-烷基取代的二噻吩并[2,3- d ; 2',3'-d ']苯并[1,2- b ; 4,5- b ']二噻吩半导体材料及其在溶液加工有机晶体管中的应用
摘要:
一种新颖的高度π-延伸的杂并苯,其具有四个对称稠合的噻吩环单元,并且在中心环的末端β-位具有可溶取代基,二噻吩并[2,3- d ; 2',3'-d ']苯并[1,通过分子内亲电偶联反应合成了2- b ; 4,5- b ']二噻吩(DTBDT)。DTBDT基序中的α位置可用性使得能够制备可溶液处理的基于DTBDT的聚合物,例如PDTBDT,PDTBDT-BT,PDTBDT-DTBT和PDTBDT-DTDPP。即使具有高度扩展的并苯类π骨架,所有聚合物在-5.21至-5.59 eV范围内的最高占据分子轨道(HOMO)仍显示出相当好的环境稳定性。在我们评估半导体特性的研究过程中,通过溶液法表征了四种含DTBDT的共聚物的场效应晶体管性能,PDTBDT-DTDPP表现出最佳的电性能,空穴迁移率为1.70×10 –2 cm 2 V –1 s –1。PDTBDT-DTDPP对于来自金电极的孔而言,具有
β-Alkyl substituted Dithieno[2,3-<i>d</i>;2′,3′<i>-d</i>′]benzo[1,2-<i>b</i>;4,5-<i>b</i>′]dithiophene Semiconducting Materials and Their Application to Solution-Processed Organic Transistors
作者:Jonggi Kim、A-Reum Han、Jung Hwa Seo、Joon Hak Oh、Changduk Yang
DOI:10.1021/cm301816t
日期:2012.9.11
central ring, dithieno[2,3-d;2′,3′-d′]benzo[1,2-b;4,5-b′]dithiophene (DTBDT) was synthesized via intramolecular electrophilic coupling reaction. The α-positions availability in the DTBDT motif enables the preparation of solution-processable DTBDT-based polymers such as PDTBDT, PDTBDT-BT, PDTBDT-DTBT, and PDTBDT-DTDPP. Even with its highly extended acene-like π-framework, all polymers show fairly good
一种新颖的高度π-延伸的杂并苯,其具有四个对称稠合的噻吩环单元,并且在中心环的末端β-位具有可溶取代基,二噻吩并[2,3- d ; 2',3'-d ']苯并[1,通过分子内亲电偶联反应合成了2- b ; 4,5- b ']二噻吩(DTBDT)。DTBDT基序中的α位置可用性使得能够制备可溶液处理的基于DTBDT的聚合物,例如PDTBDT,PDTBDT-BT,PDTBDT-DTBT和PDTBDT-DTDPP。即使具有高度扩展的并苯类π骨架,所有聚合物在-5.21至-5.59 eV范围内的最高占据分子轨道(HOMO)仍显示出相当好的环境稳定性。在我们评估半导体特性的研究过程中,通过溶液法表征了四种含DTBDT的共聚物的场效应晶体管性能,PDTBDT-DTDPP表现出最佳的电性能,空穴迁移率为1.70×10 –2 cm 2 V –1 s –1。PDTBDT-DTDPP对于来自金电极的孔而言,具有