3,8-didodecyldithieno[2,3-d;2′,3′-d′]benzo[1,2-b;4,5-b′]dithiophene | 1395063-07-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 英文名称: 3,8-didodecyldithieno[2,3-d;2′,3′-d′]benzo[1,2-b;4,5-b′]dithiophene
• 英文别名: 7,16-Didodecyl-5,9,14,18-tetrathiapentacyclo[10.6.0.03,10.04,8.013,17]octadeca-1(12),2,4(8),6,10,13(17),15-heptaene；7,16-didodecyl-5,9,14,18-tetrathiapentacyclo[10.6.0.03,10.04,8.013,17]octadeca-1(12),2,4(8),6,10,13(17),15-heptaene
• CAS: 1395063-07-6
• 化学式: C₃₈H₅₄S₄
• 分子量: 639.111
• InChiKey: LJAYTCVRDSJXHI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  18.6
• 重原子数：
  42
• 可旋转键数：
  22
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.63
• 拓扑面积：
  113
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3,8-didodecyldithieno[2,3-d;2′,3′-d′]benzo[1,2-b;4,5-b′]dithiophene 、 三甲基氯化锡 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 1.0h， 生成 2,7-bis(trimethylstannyl)-3,6-didodecyldithieno[2,3-b;2′,3-b′]benzo[1,2-b;4,5-b′]dithiophene
  参考文献：
  名称：

  β-烷基取代的二噻吩并[2,3- d ; 2'，3'-d ']苯并[1,2- b ; 4,5- b ']二噻吩半导体材料及其在溶液加工有机晶体管中的应用

  摘要：

  一种新颖的高度π-延伸的杂并苯，其具有四个对称稠合的噻吩环单元，并且在中心环的末端β-位具有可溶取代基，二噻吩并[2,3- d ; 2'，3'-d ']苯并[1，通过分子内亲电偶联反应合成了2- b ; 4,5- b ']二噻吩（DTBDT）。DTBDT基序中的α位置可用性使得能够制备可溶液处理的基于DTBDT的聚合物，例如PDTBDT，PDTBDT-BT，PDTBDT-DTBT和PDTBDT-DTDPP。即使具有高度扩展的并苯类π骨架，所有聚合物在-5.21至-5.59 eV范围内的最高占据分子轨道（HOMO）仍显示出相当好的环境稳定性。在我们评估半导体特性的研究过程中，通过溶液法表征了四种含DTBDT的共聚物的场效应晶体管性能，PDTBDT-DTDPP表现出最佳的电性能，空穴迁移率为1.70×10 –2 cm 2 V –1 s –1。PDTBDT-DTDPP对于来自金电极的孔而言，具有

  DOI：

  10.1021/cm301816t
• 作为产物：
  描述：

  1,4-双 (甲基磺酰基)苯 在 四(三苯基膦)钯 、 Eaton’s reagent 、 溴 、 硝酸 作用下， 以 二氯甲烷 、 N,N-二甲基甲酰胺 、 甲苯 、 乙腈 为溶剂， 反应 72.0h， 生成 3,8-didodecyldithieno[2,3-d;2′,3′-d′]benzo[1,2-b;4,5-b′]dithiophene
  参考文献：
  名称：

  β-烷基取代的二噻吩并[2,3- d ; 2'，3'-d ']苯并[1,2- b ; 4,5- b ']二噻吩半导体材料及其在溶液加工有机晶体管中的应用

  摘要：

  一种新颖的高度π-延伸的杂并苯，其具有四个对称稠合的噻吩环单元，并且在中心环的末端β-位具有可溶取代基，二噻吩并[2,3- d ; 2'，3'-d ']苯并[1，通过分子内亲电偶联反应合成了2- b ; 4,5- b ']二噻吩（DTBDT）。DTBDT基序中的α位置可用性使得能够制备可溶液处理的基于DTBDT的聚合物，例如PDTBDT，PDTBDT-BT，PDTBDT-DTBT和PDTBDT-DTDPP。即使具有高度扩展的并苯类π骨架，所有聚合物在-5.21至-5.59 eV范围内的最高占据分子轨道（HOMO）仍显示出相当好的环境稳定性。在我们评估半导体特性的研究过程中，通过溶液法表征了四种含DTBDT的共聚物的场效应晶体管性能，PDTBDT-DTDPP表现出最佳的电性能，空穴迁移率为1.70×10 –2 cm 2 V –1 s –1。PDTBDT-DTDPP对于来自金电极的孔而言，具有

  DOI：

  10.1021/cm301816t