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2-[5-(4-Hexylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane | 883742-30-1

中文名称
——
中文别名
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英文名称
2-[5-(4-Hexylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane
英文别名
——
2-[5-(4-Hexylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane化学式
CAS
883742-30-1
化学式
C20H29BO2S2
mdl
——
分子量
376.392
InChiKey
XDJDZLXYJSEKGU-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.9
  • 重原子数:
    25
  • 可旋转键数:
    7
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.6
  • 拓扑面积:
    74.9
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    参考文献:
    名称:
    Star-shaped oligothiophene-arylene derivatives and organic thin film transistors using the same
    摘要:
    一种星形寡噻吩-芳基衍生物,其中具有p型半导体特性的寡噻吩与具有n型半导体特性的芳基结合在分子的中央部位,并与芳基形成星形,从而同时表现出p型和n型半导体特性。此外,使用该寡噻吩-芳基衍生物的有机薄膜晶体管。该星形寡噻吩-芳基衍生物可在室温下旋涂,实现有机薄膜晶体管的制造,同时满足高载流子迁移率和低关断漏电流的要求。
    公开号:
    US07692029B2
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    Star-shaped oligothiophene-arylene derivatives and organic thin film transistors using the same
    摘要:
    一种星形寡噻吩-芳基衍生物,其中具有p型半导体特性的寡噻吩与具有n型半导体特性的芳基结合在分子的中央部位,并与芳基形成星形,从而同时表现出p型和n型半导体特性。此外,使用该寡噻吩-芳基衍生物的有机薄膜晶体管。该星形寡噻吩-芳基衍生物可在室温下旋涂,实现有机薄膜晶体管的制造,同时满足高载流子迁移率和低关断漏电流的要求。
    公开号:
    US07692029B2
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文献信息

  • Star-shaped oligothiophene-arylene derivatives and organic thin film transistors using the same
    申请人:Samsung Electronics Co., Ltd.
    公开号:US07692029B2
    公开(公告)日:2010-04-06
    A star-shaped oligothiophene-arylene derivative in which an oligothiophene having p-type semiconductor characteristics is bonded to an arylene having n-type semiconductor characteristics positioned in the central moiety of the molecule and forms a star shape with the arylene, thereby simultaneously exhibiting both p-type and n-type semiconductor characteristics. Further, an organic thin film transistor using the oligothiophene-arylene derivative. The star-shaped oligothiophene-arylene derivative can be spin-coated at room temperature, leading to the fabrication of organic thin film transistors simultaneously satisfying the requirements of high charge carrier mobility and low off-state leakage current.
    一种星形寡噻吩-芳基衍生物,其中具有p型半导体特性的寡噻吩与具有n型半导体特性的芳基结合在分子的中央部位,并与芳基形成星形,从而同时表现出p型和n型半导体特性。此外,使用该寡噻吩-芳基衍生物的有机薄膜晶体管。该星形寡噻吩-芳基衍生物可在室温下旋涂,实现有机薄膜晶体管的制造,同时满足高载流子迁移率和低关断漏电流的要求。
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