2,2,3,3-Tetrafluoro-hexane | 83225-48-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机卤素化合物 - 有机氟化物
• 英文名称: 2,2,3,3-Tetrafluoro-hexane
• 英文别名: 2,2,3,3-Tetrafluorohexane
• CAS: 83225-48-3
• 化学式: C₆H₁₀F₄
• 分子量: 158.139
• InChiKey: YBXJCWJUTKYBIF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.2
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2,3-己二酮 在 sulfur tetrafluoride 、 氢氟酸 作用下， 反应 2.0h， 以86%的产率得到2,2,3,3-Tetrafluoro-hexane
  参考文献：
  名称：

  Burmakov, A. I.; Stepanov, I. V.; Kunshenko, B. V., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1982, p. 1009 - 1013

  摘要：

  DOI：

文献信息

• [EN] HYDROXY COMPOUNDS OBTAINED FROM 2,2,3,3-TETRAFLUOROOXETHANE AND DERIVATIVES THEREOF<br/>[FR] COMPOSÉS HYDROXY OBTENUS À PARTIR DE 2,2,3,3-TÉTRAFLUOROHEXANE ET DÉRIVÉS CORRESPONDANTS
  申请人：SOLVAY SPECIALTY POLYMERS IT

  公开号：WO2012168156A1

  公开（公告）日：2012-12-13

  The invention relates to a hydroxy compound of formula (I) wherein n is an integer equal to or higher than 1 as an intermediate for the preparation of compounds of formulae (lla) and (IIb) as defined in the specification that can be used as water and oil resistance agents. The invention further relates to water and oil resistance compositions containing compounds (lla) and (IIb).

  本发明涉及一种式（I）的羟基化合物，其中n是大于或等于1的整数，作为式（lla）和（IIb）化合物的中间体，如说明书中所定义的那样，可用作水和油抗性剂。本发明还涉及含有化合物（lla）和（IIb）的水和油抗性组合物。
• RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20210141306A1

  公开（公告）日：2021-05-13

  A resist composition containing: (A) a resin containing a repeating unit having an acid-labile group and not containing a repeating unit having an aromatic substituent; (B) a photo-acid generator shown by a general formula (B-1); and (C) a solvent, where W 1 represents a cyclic divalent hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms and containing a heteroatom; W 2 represents a cyclic monovalent hydrocarbon group having 4 to 14 carbon atoms and not containing a heteroatom; Rf represents a divalent organic group shown by the following general formula; and M + represents an onium cation. This provides a resist composition and a patterning process that uses the resist composition that show a particularly favorable mask dimension dependency (mask error factor: MEF), LWR, and critical dimension uniformity (CDU) particularly in photolithography where a high-energy beam such as an ArF excimer laser beam is used as a light source.

  一种抗蚀组合物，包含：（A）一种树脂，其中包含具有酸敏基团的重复单元，且不含芳香基取代的重复单元；（B）一种通过通式（B-1）表示的光酸发生剂；以及（C）一种溶剂，其中W1表示具有4至12个碳原子且含有杂原子的环状二价碳氢基团；W2表示具有4至14个碳原子且不含杂原子的环状一价碳氢基团；Rf表示由以下通式表示的二价有机基团；M+表示一个离子阳离子。这提供了一种抗蚀组合物和使用该抗蚀组合物的图案化过程，该过程在光刻工艺中特别显示出有利的掩模尺寸依赖性（掩模误差因子：MEF）、线宽粗糙度（LWR）和临界尺寸均匀性（CDU），特别是在使用高能量光源，如ArF准分子激光器光束时。
• BURMAKOV, A. I.;STEPANOV, I. V.;KUNSHENKO, B. V.;SEDOVA, L. N.;ALEKSEEVA,+, ZH. ORGAN. XIMII, 1982, 18, N 6, 1168-1173
  作者：BURMAKOV, A. I.、STEPANOV, I. V.、KUNSHENKO, B. V.、SEDOVA, L. N.、ALEKSEEVA,+

  DOI：——

  日期：——
• EP2004328A4
  申请人：——

  公开号：EP2004328A4

  公开（公告）日：2009-07-22
• METHOD FOR PERFORMING A REACTION IN A DROPLET
  申请人：Agency for Science, Technology and Research

  公开号：EP2004328B1

  公开（公告）日：2014-06-04