2,6-bis(5-hexyl-2-thienyl)dithieno[3,2-b:2',3'-d]thiophene | 1028527-05-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 2,6-bis(5-hexyl-2-thienyl)dithieno[3,2-b:2',3'-d]thiophene
• 英文别名: 4,10-Bis(5-hexylthiophen-2-yl)-3,7,11-trithiatricyclo[6.3.0.02,6]undeca-1(8),2(6),4,9-tetraene；4,10-bis(5-hexylthiophen-2-yl)-3,7,11-trithiatricyclo[6.3.0.02,6]undeca-1(8),2(6),4,9-tetraene
• CAS: 1028527-05-0
• 化学式: C₂₈H₃₂S₅
• 分子量: 528.892
• InChiKey: AQDURRNJSDCIDA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  12.2
• 重原子数：
  33
• 可旋转键数：
  12
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.43
• 拓扑面积：
  141
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  5-己基噻吩-2-硼酸频那醇酯 、 2,6-diiodo-dithieno[3,2-b;2',3'-d]thiophene 在 [PdCl₂(1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene)] potassium fluoride 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 0.33h， 以86%的产率得到2,6-bis(5-hexyl-2-thienyl)dithieno[3,2-b:2',3'-d]thiophene
  参考文献：
  名称：

  液晶刚性核半导体低聚噻吩：分子结构对相行为和薄膜性能的影响。

  摘要：

  描述了包含二噻吩并噻吩（DTT），苯并噻二唑（BTZ）和咔唑（CBZ）刚性核的液晶半导体低聚噻吩的设计，合成和性能。已经研究了分子结构（形状，大小和取代）对其热行为和电性能的影响。偏振光学显微镜（POM）和差示扫描量热法（DSC）分析表明，大多数新合成的化合物都具有高度有序的近晶中间相。在各种温度下进行的X射线衍射（XRD）研究表明，近晶阶在冷却至转变温度时保持为结晶态，从而为流延膜提供了更有利的FET应用形态。

  DOI：

  10.1002/chem.200701368

文献信息

• Liquid-Crystalline Rigid-Core Semiconductor Oligothiophenes: Influence of Molecular Structure on Phase Behaviour and Thin-Film Properties
  作者：Manuela Melucci、Laura Favaretto、Christian Bettini、Massimo Gazzano、Nadia Camaioni、Piera Maccagnani、Paolo Ostoja、Magda Monari、Giovanna Barbarella

  DOI：10.1002/chem.200701368

  日期：2007.12.17

  The design, synthesis and properties of liquid-crystalline semiconducting oligothiophenes containing dithienothiophene (DTT), benzothiadiazole (BTZ) and carbazole (CBZ) rigid cores are described. The effect of molecular structure (shape, size and substitution) on their thermal behaviour and electrical properties has been investigated. Polarised optical microscopy (POM) and differential scanning calorimetry

  描述了包含二噻吩并噻吩（DTT），苯并噻二唑（BTZ）和咔唑（CBZ）刚性核的液晶半导体低聚噻吩的设计，合成和性能。已经研究了分子结构（形状，大小和取代）对其热行为和电性能的影响。偏振光学显微镜（POM）和差示扫描量热法（DSC）分析表明，大多数新合成的化合物都具有高度有序的近晶中间相。在各种温度下进行的X射线衍射（XRD）研究表明，近晶阶在冷却至转变温度时保持为结晶态，从而为流延膜提供了更有利的FET应用形态。