2-{5-[p-(di-p-tolylamino)styryl]-3,4-ethylenedioxythiophene-2-yl}-3,4-ethylenedioxythiophene-5-carbaldehyde | 1159379-10-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 2-{5-[p-(di-p-tolylamino)styryl]-3,4-ethylenedioxythiophene-2-yl}-3,4-ethylenedioxythiophene-5-carbaldehyde
• CAS: 1159379-10-8
• 化学式: C₃₅H₂₉NO₅S₂
• 分子量: 607.751
• InChiKey: AZJDUYMDIMYRHR-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  811.2±65.0 °C(predicted)
• 密度：
  1.350±0.06 g/cm3(Temp: 20 °C; Press: 760 Torr)(predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  9.09
• 重原子数：
  43.0
• 可旋转键数：
  7.0
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.17
• 拓扑面积：
  57.23
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  8.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-{5-[p-(di-p-tolylamino)styryl]-3,4-ethylenedioxythiophene-2-yl}-3,4-ethylenedioxythiophene-5-carbaldehyde 、 氰乙酸 在 哌啶 作用下， 以 乙醇 为溶剂， 反应 8.0h， 以55%的产率得到[2-{5-[p-(di-p-tolylamino)styryl]-3,4-ethylenedioxythiophene-2-yl}-3,4-ethylenedioxythiophen-5-yl]-2-cyanoacrylic acid
  参考文献：
  名称：

  用于高效染料敏化太阳能电池的基于三芳基胺的有机染料的分子设计

  摘要：

  设计并合成了三种供体-（π-间隔子）-受体染料，分别编码为DS-3，DS-5和DS-6，用于染料敏化太阳能电池（DSSC）。这些染料具有相同的供体（三芳基胺）和受体/固定基团（2-氰基丙烯酸），但变化的π分隔符由以下各项的组合组成： 噻吩 和/或 3,4-乙撑二氧噻吩（EDOT）单位。通过光物理和电化学测量以及使用它们作为光敏化剂制备的基于纳米晶TiO 2的DSSC对它们进行了评估。结果表明，在染料分子中掺入EDOT部分会强烈影响摩尔消光系数和光电流响应。在这三种染料中，基于DS-5的DSSC具有最佳的光伏性能：最大单色入射光子-电流转换效率（IPCE）为80％，短路光电流密度（J sc）为14.6 mA cm -2，开路光电压（V oc）为0.59 V，填充系数（FF）为0.70，对应于在100mW cm -2照射下的总转换效率为6.03％，相对于在类似条件下制造和测量的基于N3的器件的

  DOI：

  10.1039/b815649b
• 作为产物：
  描述：

  2-{5-[p-(di-p-tolylamino)styryl]-3,4-ethylenedioxythiophene-2-yl}-3,4-ethylenedioxythiophene 、 N,N-二甲基甲酰胺 在 三氯氧磷 、 水 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 0.67h， 以60%的产率得到2-{5-[p-(di-p-tolylamino)styryl]-3,4-ethylenedioxythiophene-2-yl}-3,4-ethylenedioxythiophene-5-carbaldehyde
  参考文献：
  名称：

  用于高效染料敏化太阳能电池的基于三芳基胺的有机染料的分子设计

  摘要：

  设计并合成了三种供体-（π-间隔子）-受体染料，分别编码为DS-3，DS-5和DS-6，用于染料敏化太阳能电池（DSSC）。这些染料具有相同的供体（三芳基胺）和受体/固定基团（2-氰基丙烯酸），但变化的π分隔符由以下各项的组合组成： 噻吩 和/或 3,4-乙撑二氧噻吩（EDOT）单位。通过光物理和电化学测量以及使用它们作为光敏化剂制备的基于纳米晶TiO 2的DSSC对它们进行了评估。结果表明，在染料分子中掺入EDOT部分会强烈影响摩尔消光系数和光电流响应。在这三种染料中，基于DS-5的DSSC具有最佳的光伏性能：最大单色入射光子-电流转换效率（IPCE）为80％，短路光电流密度（J sc）为14.6 mA cm -2，开路光电压（V oc）为0.59 V，填充系数（FF）为0.70，对应于在100mW cm -2照射下的总转换效率为6.03％，相对于在类似条件下制造和测量的基于N3的器件的

  DOI：

  10.1039/b815649b