[EN] VAPORIZABLE METALORGANIC COMPOUNDS FOR DEPOSITION OF METALS AND METAL-CONTAINING THIN FILMS<br/>[FR] COMPOSES ORGANOMETALLIQUES VAPORISABLES POUR LE DEPOT DE METAUX ET DE FILMS MINCES CONTENANT UN METAL
申请人:HONEYWELL INT INC
公开号:WO2007005088A2
公开(公告)日:2007-01-11
[EN] A new class of metalorganic vaporizable compounds with mixed ligands is described herein, along with their use for the deposition of thin films of metals and metal- containing oxides, nitrides, oxynitrides, silicates, suicides, metal containing materials, and combinations thereof. . The metalorganic vaporizable compounds comprise amides in combination with malonates and guanidinates as donor-functionalized bidentate chelating ligands. The use of a metalorganic vaporizable compounds with mixed ligands to deposit and modify thin films of Hf, Zr, Ti, Ta, Al, Sn, Zn, Ca, Mg, Ga, In, Tl, Sc, Bi, Rh, Ir, La, Pr, Eu, Gd, Ba, Sr, and other lanthanide metal oxides, nitrides, oxynitrides, silicates, suicides, and composites, and further use of metalorganic vaporizable compounds with mixed ligands to deposit thin films of Ru, Cu, Co, Ag, Au, Pd, Pt, Ni, Fe, Mn, Cr, V, Nb, Pb, W, Si, Ge and Mo metals, metal oxides, nitrides, oxynitrides, silicates, suicides and combinations thereof are also described herein. A process for the preparation of metalorganic vaporizable compounds comprising amides in combination with donor-functionalized bidentate chelating ligands as a mixed ligand system is described herein. In addition, the use of metalorganic vaporizable compounds in various vapor phase deposition processes such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and atomic layer deposition (ALD) of metals and metal-containing oxide thin films is described herein.
[FR] L'invention concerne une nouvelle classe de composés organométalliques vaporisables à ligands mixtes, et leur utilisation en vue du dépôt de films minces de métaux et d'oxydes contenant un métal, de nitrures, d'oxynitrures, de silicates, de siliciures, de matières contenant un métal et de combinaisons de ceux-ci. Les composés organométalliques vaporisables comprennent des amides combinés à des malonates et à des guanidinates comme ligands chélateurs bidentates à fonction donneur. L'invention concerne aussi l'utilisation des composés organométalliques vaporisables à ligands mixtes pour déposer et modifier des films minces de Hf, Zr, Ti, Ta, Al, Sn, Zn, Ca, Mg, Ga, In, Tl, Sc, Bi, Rh, Ir, La, Pr, Eu, Gd, Ba, Sr et d'autres oxydes métalliques de lanthanides, de nitrures, d'oxynitrures, de silicates, de siliciures et de composites, ainsi que l'utilisation des composés organométalliques vaporisables à ligands mixtes pour déposer des films minces de métaux de Ru, Cu, Co, Ag, Au, Pd, Pt, Ni, Fe, Mn, Cr, V, Nb, Pb, W, Si, Ge et Mo, d'oxydes métalliques, de nitrures, d'oxynitrures, de silicates, de siliciures et de combinaisons de ceux-ci. L'invention concerne un procédé de préparation de composés organométalliques vaporisables comprenant des amides combinés à des ligands chélateurs bidentates à fonction donneur, comme système à ligands mixtes. Elle concerne en outre l'utilisation des composés organométalliques vaporisables dans divers procédés de dépôt en phase vapeur tels que le dépôt chimique en phase vapeur de composés organométalliques (MOCVD) et le dépôt par couches atomiques (ALD) de métaux et de films minces d'oxydes contenant un métal.