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2,8-di-5-bromo-3-dodecylthiophene-indeno[1,2-b]fluorene-6,12-dione | 1110664-27-1

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2,8-di-5-bromo-3-dodecylthiophene-indeno[1,2-b]fluorene-6,12-dione
英文别名
2,8-di-(5-bromo-3-dodecylthien-2-yl)-indeno[1,2-b]fluorene-6,12-dione;2,8-Bis(5-bromo-3-dodecylthiophen-2-yl)indeno[1,2-b]fluorene-6,12-dione;2,8-bis(5-bromo-3-dodecylthiophen-2-yl)indeno[1,2-b]fluorene-6,12-dione
2,8-di-5-bromo-3-dodecylthiophene-indeno[1,2-b]fluorene-6,12-dione化学式
CAS
1110664-27-1
化学式
C52H60Br2O2S2
mdl
——
分子量
940.987
InChiKey
KLTGBVSNTRKYSC-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    21.4
  • 重原子数:
    58
  • 可旋转键数:
    24
  • 环数:
    7.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.46
  • 拓扑面积:
    90.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2,8-di-5-bromo-3-dodecylthiophene-indeno[1,2-b]fluorene-6,12-dione丙二腈吡啶四氯化钛 作用下, 以 氯苯 为溶剂, 反应 5.0h, 以48%的产率得到2,8-di-5-bromo-3-dodecylthiophene-indeno[1,2-b]fluorene-6,12-dimalononitrile
    参考文献:
    名称:
    用于基于茚并芴双(二氰基亚乙烯基)核的薄膜晶体管的空气稳定、溶液可处理的双极半导体
    摘要:
    我们在此展示了一种新型 n 通道半导体分子 TIFDMT 和相应的基于茚并芴双(二氰基亚乙烯基)核的基于噻吩的共聚物 P-IFDMT4 的合成、表征和场效应性能。通过旋涂制造的基于 TIFDMT 的场效应晶体管在空气中表现出 0.10-0.16 cm2/V s 的高电子迁移率、低导通电压(0 至 +5 V)和 10(7 )-10(8)。这些装置在环境条件下长时间储存​​后也表现出优异的空气稳定性。基于 P-IFDMT4 的器件展示了可从溶液中加工的空气稳定双极性聚合物的第一个例子
    DOI:
    10.1021/ja802266u
  • 作为产物:
    描述:
    2,8-di-3-dodecylthiophene-indeno[1,2-b]fluorene-6,12-dione 作用下, 以 氯仿溶剂黄146 为溶剂, 反应 10.0h, 以95%的产率得到2,8-di-5-bromo-3-dodecylthiophene-indeno[1,2-b]fluorene-6,12-dione
    参考文献:
    名称:
    用于基于茚并芴双(二氰基亚乙烯基)核的薄膜晶体管的空气稳定、溶液可处理的双极半导体
    摘要:
    我们在此展示了一种新型 n 通道半导体分子 TIFDMT 和相应的基于茚并芴双(二氰基亚乙烯基)核的基于噻吩的共聚物 P-IFDMT4 的合成、表征和场效应性能。通过旋涂制造的基于 TIFDMT 的场效应晶体管在空气中表现出 0.10-0.16 cm2/V s 的高电子迁移率、低导通电压(0 至 +5 V)和 10(7 )-10(8)。这些装置在环境条件下长时间储存​​后也表现出优异的空气稳定性。基于 P-IFDMT4 的器件展示了可从溶液中加工的空气稳定双极性聚合物的第一个例子
    DOI:
    10.1021/ja802266u
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文献信息

  • [EN] CONJUGATED MONOMERS AND POLYMERS AND PREPARATION AND USE THEREOF<br/>[FR] MONOMÈRES ET POLYMÈRES CONJUGUÉS, LEUR PRÉPARATION ET LEUR UTILISATION
    申请人:UNIV NORTHWESTERN
    公开号:WO2009017798A1
    公开(公告)日:2009-02-05
    Disclosed are new conjugated compounds (e.g., monomers and polymers) that include ladder-type moieties which can be used for preparing semiconducting materials. Such conjugated compounds can exhibit high n-type carrier mobility and/or good current modulation characteristics. Compounds of the present teachings also can exhibit ambipolar semiconducting activity. In addition, the compounds of the present teachings can possess certain processing advantages such as solution- processability and/or good stability in ambient conditions.
    本文披露了新的共轭化合物(例如,单体和聚合物),其中包括可以用于制备半导体材料的梯形结构基团。这种共轭化合物可以表现出高n型载流子迁移率和/或良好的电流调制特性。本文教导的化合物还可以表现出双极半导体活性。此外,本文教导的化合物可能具有某些加工优势,如溶液加工性能和/或在环境条件下的良好稳定性。
  • Conjugated monomers and polymers and preparation and use thereof
    申请人:Marks Tobin J.
    公开号:US20090036643A1
    公开(公告)日:2009-02-05
    Disclosed are new conjugated compounds (e.g., monomers and polymers) that include ladder-type moieties which can be used for preparing semiconducting materials. Such conjugated compounds can exhibit high n-type carrier mobility and/or good current modulation characteristics. Compounds of the present teachings also can exhibit ambipolar semiconducting activity. In addition, the compounds of the present teachings can possess certain processing advantages such as solution-processability and/or good stability in ambient conditions.
    披露了包括阶梯型结构单元的新的共轭化合物(例如,单体和聚合物),可用于制备半导体材料。这种共轭化合物可以表现出高n型载流子迁移率和/或良好的电流调制特性。本教导的化合物还可以表现出双极半导体活性。此外,本教导的化合物可以具有某些加工优势,如可溶性加工性和/或在环境条件下良好的稳定性。
  • Usta, Hakan; Risko, Chad; Wang, Zhiming, Journal of the American Chemical Society, 2009, vol. 131, p. 5586 - 5608
    作者:Usta, Hakan、Risko, Chad、Wang, Zhiming、Huang, Hui、Deliomeroglu, Murat K.、et al.
    DOI:——
    日期:——
  • CONJUGATED MONOMERS AND POLYMERS AND PREPARATION AND USE THEREOF
    申请人:Northwestern University
    公开号:EP2185496A1
    公开(公告)日:2010-05-19
  • US7928249B2
    申请人:——
    公开号:US7928249B2
    公开(公告)日:2011-04-19
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