摘要:
早在 50 年前,理论计算就预测只有一个π表面和一个边缘的莫比乌斯环烯会表现出奇特的电子特性并违反 Hückel 规则。尽管进行了多次合成尝试,但直到 2003 年才制备出第一个单扭曲的莫比乌斯环烯。 在这里,我们提出了一种通用的、合理的策略来合成三重甚至更高扭曲的环状π系统。我们将此策略应用于制备三重扭曲的 [24] 脱氢环烯,其结构已通过 X 射线分析证实。我们的策略基于“扭曲”到“扭动”的拓扑转换。优点是双重的:产品表现出较低的应变程度,并且可以设计出固有地包括扭体的前体,在环化后,最终形成莫比乌斯产品。根据我们的策略,三重扭曲系统比单扭曲系统更容易准备。