本发明公开了高迁移率发光半导体及其制备方法、用途和应用方法,高迁移率发光半导体的制备方法包括芳基
溴代物或
碘代物与芳基
硼酸或
硼酸酯之间的铃木偶联
化学反应,高迁移率发光半导体的应用到器件的方法,器件采用底栅顶接触器件结构,栅极采用n型的掺杂
硅,热生长一层300nm的SiO2作为绝缘层,在沉积有机半导体层之前,栅极绝缘层用O
TS在真空炉120℃进行修饰,形成单层O
TS修饰层;修饰层相继用
氯仿,
正己烷,
异丙醇和
丙酮进行清洗,并利用高迁移率发光半导体采用旋涂的方式进行镀膜。本发明合成得到的材料,表现出聚集诱导发光的性质,而传统的荧光
染料在高浓度条件下则具有聚集诱导荧光猝灭的现象,因此有效克服了传统的荧光
染料的缺陷。