N-(3-三乙氧基硅基丙基)-4-羟基丁酰胺 | 156214-80-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 中文名称: N-(3-三乙氧基硅基丙基)-4-羟基丁酰胺
• 英文名称: 4-hydroxy-N-[3-(triethoxysilyl)propyl]butaneamide
• 英文别名: 4-Hydroxy-N[3-(triethoxysilyl)propyl]butanamide；N-(3-Triethoxysilylpropyl)-4-hydroxybutyramide；4-hydroxy-N-(3-triethoxysilylpropyl)butanamide
• CAS: 156214-80-1
• 化学式: C₁₃H₂₉NO₅Si
• 分子量: 307.462
• InChiKey: QKDAMFXBOUOVMF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  418.6±30.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.02 g/cm3

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.29
• 重原子数：
  20
• 可旋转键数：
  13
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.923
• 拓扑面积：
  77
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  苯基三甲氧基硅烷 、 硅酸四乙酯 、 甲基三乙氧基硅烷 、 [3-(三甲氧基硅烷基)丙基]琥珀酸酐 、 N-(3-三乙氧基硅基丙基)-4-羟基丁酰胺 、 盐酸 、 丙二醇乙醚 、 triphenyl-sulfonium hydroxide 以 水 、 乙醇 、 丙酮 为溶剂， 反应 4.0h， 生成 Triphenylsulfonium succinic acid salt
  参考文献：
  名称：

  Resist underlayer film forming composition containing silicon having anion group

  摘要：

  提供了一种制造半导体器件的方法，利用含有阴离子基团的硅烷化合物组成的抗蚀底层膜形成组合物，其中含有阴离子基团的硅烷化合物是一种可水解的有机硅烷，其中含有阴离子基团的有机基团与硅原子键合，并形成盐结构，其水解产物或水解缩合产物。阴离子基团可以是羧酸阴离子、苯酚酸盐阴离子、磺酸盐阴离子或膦酸盐阴离子。可水解的有机硅烷可以是式（1）的化合物：R1aR2bSi（R3）4−（a+b）（1）。

  公开号：

  US08815494B2

文献信息

• RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION CONTAINING SILICON HAVING ANION GROUP
  申请人：Shibayama Wataru

  公开号：US20110287369A1

  公开（公告）日：2011-11-24

  There is provided a resist underlayer film forming composition for lithography for forming a resist underlayer film capable of being used as a hardmask. A resist underlayer film forming composition for lithography comprising a silane compound containing an anion group, wherein the silane compound containing an anion group is a hydrolyzable organosilane in which an organic group containing an anion group is bonded to a silicon atom and the anion group forms a salt structure, a hydrolysis product thereof, or a hydrolysis-condensation product thereof. The anion group may be a carboxylic acid anion, a phenolate anion, a sulfonic acid anion, or a phosphonic acid anion. The hydrolyzable organosilane may be a compound of Formula (1): R 1 a R 2 b Si(R 3 ) 4−(a+b) (1). A composition comprising a mixture of a hydrolyzable organosilane of Formula (1), and at least one organic silicon compound selected from the group consisting of a compound of Formula (2): R 4 a Si(R 5 ) 4−a (2) and a compound of Formula (3): [R 6 c Si(R 7 ) 3−c ] 2 Y b (3); a hydrolysis product of the mixture; or a hydrolysis-condensation product of the mixture.

  提供了一种用于光刻的抗蚀底层膜形成组合物，用于形成可用作硬膜的抗蚀底层膜。该抗蚀底层膜形成组合物包括含有阴离子基团的硅烷化合物，其中含有阴离子基团的硅烷化合物是一种可水解的有机硅烷，其中含有阴离子基团的有机基团与硅原子键合，阴离子基团形成盐结构，其水解产物或水解缩合产物。阴离子基团可以是羧酸阴离子、酚酸盐阴离子、磺酸盐阴离子或磷酸盐阴离子。可水解的有机硅烷可以是式（1）的化合物：R1aR2bSi（R3）4−（a+b）（1）。组合物包括式（1）的可水解有机硅烷的混合物，以及选择自化合物组中的至少一种有机硅化合物的混合物，该组具有式（2）的化合物：R4aSi（R5）4−a（2）和式（3）的化合物：[R6cSi（R7）3−c] 2Yb（3）；该混合物的水解产物；或该混合物的水解缩合产物。
• Resist underlayer film forming composition containing silicon having anion group
  申请人：Nissan Chemical Industries, Ltd.

  公开号：US08815494B2

  公开（公告）日：2014-08-26

  There is provided a method of making a semiconductor device utilizing a resist underlayer film forming composition comprising a silane compound containing an anion group, wherein the silane compound containing an anion group is a hydrolyzable organosilane in which an organic group containing an anion group is bonded to a silicon atom and the anion group forms a salt structure, a hydrolysis product thereof, or a hydrolysis-condensation product thereof. The anion group may be a carboxylic acid anion, a phenolate anion, a sulfonic acid anion, or a phosphonic acid anion. The hydrolyzable organosilane may be a compound of Formula (1): R1aR2bSi(R3)4−(a+b) (1).

  提供了一种制造半导体器件的方法，利用含有阴离子基团的硅烷化合物组成的抗蚀底层膜形成组合物，其中含有阴离子基团的硅烷化合物是一种可水解的有机硅烷，其中含有阴离子基团的有机基团与硅原子键合，并形成盐结构，其水解产物或水解缩合产物。阴离子基团可以是羧酸阴离子、苯酚酸盐阴离子、磺酸盐阴离子或膦酸盐阴离子。可水解的有机硅烷可以是式（1）的化合物：R1aR2bSi（R3）4−（a+b）（1）。