2,6-bis(dimethylamino)-1H-1,3,5-triazine-4-thione | 66962-16-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: 2,6-bis(dimethylamino)-1H-1,3,5-triazine-4-thione
• CAS: 66962-16-1
• 化学式: C₇H₁₃N₅S
• 分子量: 199.28
• InChiKey: KZBXRFTWKKUJOM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.1
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.57
• 拓扑面积：
  75.3
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,6-bis(dimethylamino)-1H-1,3,5-triazine-4-thione 在 氢氧化钾 、 lithium aluminium tetrahydride 作用下， 以 丙酮 为溶剂， 反应 20.0h， 生成 2-(2'-tolylsulfonamidoethylthio)-4,6-bis(dimethylamino)-sym-triazine
  参考文献：
  名称：

  Reactions of derivatives of amino- and mercapto-sym-triazines with ethyleneimine and ethylenediamine

  摘要：

  DOI：

  10.1007/bf00531552

文献信息

• Divergent Synthesis of α-(1,3,5-Triazinylthio)-ketones and Thiazolo[3,2-<i>a</i>][1,3,5]triazines from 1,3-Dicarbonyl compounds or Chalcones with 1,3,5-Triazine-2-thiols
  作者：Pengzhen Zhong、Cheng Zhang、Yue Li、Chengwu Su、Chen Zhang、Dong-Mei Cui

  DOI：10.1021/acs.joc.3c01497

  日期：2023.10.6

  reaction proceeds through the C–C bond cleavage and C–S bond reconstruction of 1,3-dicarbonyl compounds, and β-keto esters, β-keto amides, and 1,3-diones were tolerated. In addition, the annulation of 1,3,5-triazine-2-thiols with chalcones has been achieved for the synthesis of thiazolo[3,2-a][1,3,5]triazines. The method occurred in moderate to good yields and tolerated chalcone with a broad functional group

  开发了一种从 1,3-二羰基化合物与 1,3,5-三嗪-2-硫醇有效合成 α-(1,3,5-三嗪基硫基)-酮的方法。该反应通过1,3-二羰基化合物的C-C键断裂和C-S键重建进行，并且可以耐受β-酮酯、β-酮酰胺和1,3-二酮。此外，还实现了1,3,5-三嗪-2-硫醇与查耳酮的环化，用于合成噻唑并[3,2- a ][1,3,5]三嗪。该方法的收率中等至良好，且具有广泛官能团的耐受性查耳酮。
• Cationically polymerizable resist underlayer film-forming composition
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US10437151B2

  公开（公告）日：2019-10-08

  There is provided a composition for forming a resist underlayer film for lithography that can be used as an underlayer anti-reflective coating that decreases the reflection of irradiated light during exposure from a semiconductor substrate toward the photoresist layer that is formed on the semiconductor substrate and in particular, can be suitably used as a flattening film for flattening a semiconductor substrate having a recess and a project by embedding, in a lithography process for production of a semiconductor device. A resist underlayer film-forming composition for lithography comprising (A) an alicyclic epoxy compound having an alicyclic skeleton and one or more epoxy groups, and a light absorption moiety, in the molecule, (B) a thermal acid generator, and (C) a solvent.

  本发明提供了一种用于形成光刻用抗蚀剂底层膜的组合物，该组合物可用作底层抗反射涂层，以减少照射光在从半导体衬底向形成在半导体衬底上的光刻胶层照射时的反射，特别是可在生产半导体器件的光刻工艺中适当用作平整膜，用于通过嵌入使具有凹槽和凸起的半导体衬底平整。一种用于光刻的抗蚀剂底层成膜组合物，包括(A)脂环族环氧化合物，其分子中具有脂环族骨架和一个或多个环氧基团以及光吸收分子；(B)热酸发生器；以及(C)溶剂。
• Synthesis and thermal decomposition of halogenalkoxy(thio)-sym -triazines. 12. Synthesis and certain transformations of 2-dialkylamino-4-oxo-6-cyanodihydrothiazolo-sym-triazines
  作者：V. V. Dovlatyan、K. A. Eliazyan、A. V. Azatyan

  DOI：10.1007/bf00475656

  日期：1987.7
• DOVLATYAN V. V.; AGADZHANYAN L. G.; EHLIAZYAN K. A., ARM. XIM. ZH. <AUKZ-AN>, 1975, 28, HO 4, 306-810
  作者：DOVLATYAN V. V.、 AGADZHANYAN L. G.、 EHLIAZYAN K. A.

  DOI：——

  日期：——
• DOVLATYAN V. V.; EHLIAZYAN K. A.; AZATYAN A. V., XIMIYA GETEROTSIKL. SOED.,(1987) N 7, 978-980
  作者：DOVLATYAN V. V.、 EHLIAZYAN K. A.、 AZATYAN A. V.

  DOI：——

  日期：——