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4-(2-salicylideneiminoethylthio)-5-methyl-4',5'-(ethylenedithio)tetrathiafulvalene | 1246173-52-3

中文名称
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中文别名
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英文名称
4-(2-salicylideneiminoethylthio)-5-methyl-4',5'-(ethylenedithio)tetrathiafulvalene
英文别名
4-(2-salicylidenoiminoethylthio)-5-methyl-4',5'-ethylenedithio-tetrathiofulvalene;2-[2-[[2-(5,6-Dihydro-[1,3]dithiolo[4,5-b][1,4]dithiin-2-ylidene)-5-methyl-1,3-dithiol-4-yl]sulfanyl]ethyliminomethyl]phenol
4-(2-salicylideneiminoethylthio)-5-methyl-4',5'-(ethylenedithio)tetrathiafulvalene化学式
CAS
1246173-52-3
化学式
C18H17NOS7
mdl
——
分子量
487.801
InChiKey
ADXAYUZQWHUEQF-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.7
  • 重原子数:
    27
  • 可旋转键数:
    5
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.28
  • 拓扑面积:
    210
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    9

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    4-(2-salicylideneiminoethylthio)-5-methyl-4',5'-(ethylenedithio)tetrathiafulvalene 在 triethylamine 作用下, 以 甲醇二氯甲烷 为溶剂, 生成 bis(4-(2-salicylidenoiminotoethylthio)-5-methyl-4',5'-ethylenedithio-tetrathiofulvalene)copper(II) tetrakis(2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone)
    参考文献:
    名称:
    用于导电和磁性系统的新型 TTF 基金属配合物的合成:具有部分氧化 TTF 部分的席夫碱型金属配合物
    摘要:
    已经合成了具有席夫碱型配位位点的新型 TTF 基配体(TTF = 四硫富瓦烯):4,5-双(4-水杨基亚氨基苯基)-4',5'-乙二硫基-TTF(1a)、4,5-双(4-picolinideneiminophenyl)-4',5'-ethylenedithio-TTF (1b) 和 4-(2-salicylideneiminoethylthio)-5-methyl-4',5'-ethylenedithio-TTF (Hsae-TTF)。1a 的 X 射线晶体学显示,1a 在配位点周围具有刚性结构,这阻止了它形成金属配合物。另一方面,由于烷基链间隔,Hsae-TTF配体在其配位点周围具有柔韧性,并与Ni(II)和Cu(II)离子形成单核配合物,[M II (saeTTF) 2 ] (M II =Ni (II) 和铜 (II))。[M II (saeTTF) 2 ] 中的金属离子具有方形平面配位结构,具有两个基于
    DOI:
    10.1016/j.physb.2009.11.084
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    用于导电和磁性系统的新型 TTF 基金属配合物的合成:具有部分氧化 TTF 部分的席夫碱型金属配合物
    摘要:
    已经合成了具有席夫碱型配位位点的新型 TTF 基配体(TTF = 四硫富瓦烯):4,5-双(4-水杨基亚氨基苯基)-4',5'-乙二硫基-TTF(1a)、4,5-双(4-picolinideneiminophenyl)-4',5'-ethylenedithio-TTF (1b) 和 4-(2-salicylideneiminoethylthio)-5-methyl-4',5'-ethylenedithio-TTF (Hsae-TTF)。1a 的 X 射线晶体学显示,1a 在配位点周围具有刚性结构,这阻止了它形成金属配合物。另一方面,由于烷基链间隔,Hsae-TTF配体在其配位点周围具有柔韧性,并与Ni(II)和Cu(II)离子形成单核配合物,[M II (saeTTF) 2 ] (M II =Ni (II) 和铜 (II))。[M II (saeTTF) 2 ] 中的金属离子具有方形平面配位结构,具有两个基于
    DOI:
    10.1016/j.physb.2009.11.084
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文献信息

  • Organic field-effect transistor based on paramagnetic Cu(II) neutral complexes coordinated by Schiff base-type TTF ligands
    作者:Atsushi Wachi、Yusuke Kudo、Aoba Kanesaka、Hiroyuki Nishikawa、Takuya Shiga、Hiroki Oshio、Masayuki Chikamatsu、Reiko Azumi
    DOI:10.1016/j.poly.2017.03.006
    日期:2017.11
    We have succeeded in preparation of novel paramagnetic Cu(II) complexes composed of tetrathiafulvalene (TTF)-based ligands as electrical conducting units, [Cu-II(Bz-OMe-Bu-t-sae-TTF)(2)], [Cu-II(EDT-bissae-TTF)] and [Cu-II(Bz-bis(OMe-Bu-t-sae)-TTF)]. Electrochemical measurements of these neutral complexes revealed that they exhibited two pairs of redox waves attributed to the oxidation of TTF moieties. Among the newly synthesized TTF complexes, only [Cu-II(EDT-bissae-TTF)] gave a radical salt by electrochemical crystallization, but its resistive behavior was insulating. Field-effect transistors (FET) were fabricated with spin-coated films of [Cu-II(Bz-OMe-Bu-t-sae-TTF)(2)] and [Cu-II(EDT-bissae-TTF)], and their FET performances were very low compared with the conventional organic thin film transistors (OTFT) based on TTF derivatives. Atomic force microscopy (AFM) images of the spin-coated films indicated the non-uniform film surfaces with many small grains leading to the large grain boundaries, which probably causes the low carrier mobility of the FET devices. (C) 2017 Published by Elsevier Ltd.
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