(trimethylamine)triazidogallium | 184949-74-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: (trimethylamine)triazidogallium
• 英文别名: gallium;N,N-dimethylmethanamine;triazide
• CAS: 184949-74-4
• 化学式: C₃H₉GaN₁₀
• 分子量: 254.894
• InChiKey: GHBYNRVSXICHET-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (trimethylamine)triazidogallium 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 生成 gallium triazide
  参考文献：
  名称：

  (N3)2Ga[(CH2)3NMe2], (N3)Ga[(CH2)3NMe2]2 和 (N3)3Ga(NR3) 的合成和结构 (R = CH3, C2H5)

  摘要：

  分子内加合物稳定的有机镓双叠氮化物 (N3)2Ga[(CH2)3NMe2] (1)、单叠氮化物 (N3)Ga[(CH2)3NMe2]2 (2) 的合成、性质和 X 射线单晶结构分析) 和 (N3)3Ga(NR3)（3a-d；R = 烷基）类型的三叠氮镓的三烷基胺加合物。描述了化合物 1 的一种不寻常的异构体 1b，它是通过将分析纯的纯液体化合物 1 缓慢冷却至 0 °C 获得的。新的和不寻常的结构 1b 可以被视为通过头对尾叠氮桥连接在一起的二聚体的弱缔合。相比之下，化合物 2 和 3a-b（R = CH3，C2H5）在固态下是单体。比较了挥发性化合物 1 和 2 作为单源前体通过化学气相沉积生长 GaN 薄膜的适用性，表明可以在 600-700°C 真空（0.1 Pa）下从蓝宝石衬底上的化合物 2 获得优先取向的晶体薄膜。然而，薄膜具有灰色而不是透明的外观，这可能是由于单分子前体 2 的

  DOI：

  10.1002/(sici)1099-0682(199912)1999:12<2127::aid-ejic2127>3.0.co;2-n
• 作为产物：
  描述：

  、 三甲胺 以 甲苯 为溶剂， 以95%的产率得到(trimethylamine)triazidogallium
  参考文献：
  名称：

  (N3)2Ga[(CH2)3NMe2], (N3)Ga[(CH2)3NMe2]2 和 (N3)3Ga(NR3) 的合成和结构 (R = CH3, C2H5)

  摘要：

  分子内加合物稳定的有机镓双叠氮化物 (N3)2Ga[(CH2)3NMe2] (1)、单叠氮化物 (N3)Ga[(CH2)3NMe2]2 (2) 的合成、性质和 X 射线单晶结构分析) 和 (N3)3Ga(NR3)（3a-d；R = 烷基）类型的三叠氮镓的三烷基胺加合物。描述了化合物 1 的一种不寻常的异构体 1b，它是通过将分析纯的纯液体化合物 1 缓慢冷却至 0 °C 获得的。新的和不寻常的结构 1b 可以被视为通过头对尾叠氮桥连接在一起的二聚体的弱缔合。相比之下，化合物 2 和 3a-b（R = CH3，C2H5）在固态下是单体。比较了挥发性化合物 1 和 2 作为单源前体通过化学气相沉积生长 GaN 薄膜的适用性，表明可以在 600-700°C 真空（0.1 Pa）下从蓝宝石衬底上的化合物 2 获得优先取向的晶体薄膜。然而，薄膜具有灰色而不是透明的外观，这可能是由于单分子前体 2 的

  DOI：

  10.1002/(sici)1099-0682(199912)1999:12<2127::aid-ejic2127>3.0.co;2-n

文献信息

• Precursor chemistry of Group III nitrides
  作者：Harald Sussek、Oliver Stark、Anjana Devi、Hans Pritzkow、Roland A Fischer

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)00114-5

  日期：2000.5

  via standard salt metathesis routes and fully characterised by means of elemental analysis, NMR and IR spectroscopy. Compounds 1, 2, 3 and 10 were studied by X-ray crystallography revealing monomeric structures in the solid state. Compound 10 allowed the growth of crystalline GaN thin films on sapphire substrates at 750°C in the absence of ammonia using the technique of organometallic chemical vapour

  通式（X）2 M N [（CH 2）n（R'）2 ] 2 }（1-6）和（X）2 M N（Et）[（CH 2）2 N（R'）2 ]}（7–9）（n = 2，3; R'= Me，Et; X = Cl，Br; E = Al，Ga和In ）以及叠氮基衍生物（N 3）2 Ga N [（CH 2）2 N（Et）2 ]}（10）和（N 3）2 Ga N（Et）[（CH 2）2 N（Me）2 ]}（11）作为同源序列的代表例，是通过标准的盐复分解途径合成的，并通过元素分析，NMR和IR光谱进行了全面表征。化合物1，2，3和10通过X射线晶体学揭示在固态单体的结构研究。化合物10通过在减压下使用有机金属化学气相沉积技术，在不存在氨的情况下，在750°C的蓝宝石衬底上生长结晶GaN薄膜。通过XRD和拉曼光谱分析膜，显示出垂直于蓝宝石衬底的c面的微晶的优选取向。