“热激子(HE)”通道突出了从高位三线态到单线态的反向系统间交叉(RISC),并在开发高效有机发光二极管(OLED)发射器方面发挥了重要作用。与发生在 T m → S n ( m ≥ 3, n ≥ 1)上的上层 RISC (uRISC) 过程相比,三重态激子转换通道特征 T 2 → S 1理论上应该更有利于提高内部量子效率( IQE) 因为高位三线态激子的内部转换 (IC) 速率 (T m → T m -1 , m ≥ 3) 比 uRISC 速率 (T m→ S n , m ≥ 3, n ≥ 1)。因此,T 2和S 1平台的激发态特性的精细调制,例如能级和自旋轨道耦合(SOC),对于加速uRISC(T 2 → S 1)是有意义的。我们之前的工作表明,对于基于
萘并[2,3- c ]-[1,2,5]
噻二唑的衍
生物,观察到了三重态激子的“挡板效应”和“插件效应” 。一方面,T 2和T 1之间的大能隙的“挡板效应”削弱了通过T