2-[7,17-Difluoro-12-(2-triethylgermylethynyl)-6,16-dithiapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1(13),2,4,7,9,11,14,17,19-nonaen-2-yl]ethynyl-triethylgermane | 1454882-99-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 萘
• 英文名称: 2-[7,17-Difluoro-12-(2-triethylgermylethynyl)-6,16-dithiapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1(13),2,4,7,9,11,14,17,19-nonaen-2-yl]ethynyl-triethylgermane
• CAS: 1454882-99-5
• 化学式: C₃₄H₃₆F₂Ge₂S₂
• 分子量: 691.969
• InChiKey: KMZIFRRDBIEFCN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11.5
• 重原子数：
  40
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.35
• 拓扑面积：
  56.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  在 potassium hydroxide 、 lithium hexamethyldisilazane 作用下， 以 四氢呋喃 、 甲醇 、 正己烷 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 2-[7,17-Difluoro-12-(2-triethylgermylethynyl)-6,16-dithiapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1(13),2,4,7,9,11,14,17,19-nonaen-2-yl]ethynyl-triethylgermane
  参考文献：
  名称：

  结晶，异构纯的蒽噻吩衍生物的结构和电子性质

  摘要：

  蒽发色团在许多当前的高性能有机半导体发现，即使这些材料通常合成为一个不可分离的混合物顺式和反异构体。对于更均一的系统，最近合成的纯顺式蒽噻吩没有显示出性能上的改善，但是还没有关于纯抗异构体的类似研究的报道。在这项工作中，一个简单的协议描述，以制备纯的反氟化的，功能化的蒽噻吩的异构体，并对晶体中的分子间相互作用进行详细分析，从而产生增加的密度和更紧密的生色团接触。与同分异构体混合物相比，对这些纯异构体的电荷传输性质的研究表明，异构体纯度的益处并不一致。在顺式情况下，纯异构体和混合物之间的差异极小，而反异构体的迁移率则提高了近两倍。晶体中无序的分析表明了这种性能差异的原因。

  DOI：

  10.1002/adfm.201502440

文献信息

• High Mobility Field-Effect Transistors with Versatile Processing from a Small-Molecule Organic Semiconductor
  作者：Yaochuan Mei、Marsha A. Loth、Marcia Payne、Weimin Zhang、Jeremy Smith、Cynthia S. Day、Sean R. Parkin、Martin Heeney、Iain McCulloch、Thomas D. Anthopoulos、John E. Anthony、Oana D. Jurchescu

  DOI：10.1002/adma.201205371

  日期：2013.8.21

  Trialkylgermyl functionalization allows the development of high‐performance soluble small‐molecule organic semiconductors with mobilities greater than 5 cm2 V−1 s−1. Spray‐deposited organic thin‐film transistors show a record mobility of 2.2 cm2 V−1 s−1 and demonstrate the potential for incorporation in large‐area, low‐cost electronic applications.

  三烷基锗烷基官能化可以开发出迁移率大于5 cm 2 V -1 s -1的高性能可溶性小分子有机半导体。喷涂沉积的有机薄膜晶体管显示出创纪录的2.2 cm 2 V -1 s -1迁移率，并证明了其在大面积，低成本电子应用中的应用潜力。