半导体单壁碳纳米管(SWCNT)的排列可有助于更快,更轻,更高效的晶体管,但是该工艺需要优化以进行批量生产。先前我们已经描述了一种对准中继技术(ART),当将SWCNT放置在基板表面上时,它可以同时实现SWCNT的定向,直径和长度。为了扩展ART的效用,需要实现与多种表面的兼容性。在这里,我们报道了ART在Al 2 O 3上的无效性,并且我们建议分子镊子需要一种
羧酸才能与氧化铝结合。我们用两种液晶溶剂测试了新的
羧酸部分,以改善在
二氧化硅以及原子层沉积的氧化铝和α-Al上的取向2 O 3基板。我们表明,相对于第一代ART分子,
羧酸改性将Al 2 O 3表面上的SWCNTs排列提高了20%。我们使用量子
化学计算来探索纳米管与茂
金属分子镊子的相互作用。我们的计算结果表明,茂
金属在茂茂茂衍
生物的结合口袋中的取向非常重要。我们的工作优化了ART在各种电子设备基板上沉积的适用性。