N,N-Bis(trimethylsilyl)-2-methoxyethylamine | 920033-63-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: N,N-Bis(trimethylsilyl)-2-methoxyethylamine
• 英文别名: N-(2-methoxyethyl)-1,1,1-trimethyl-N-(trimethylsilyl)silanamine；2-methoxy-N,N-bis(trimethylsilyl)ethanamine
• CAS: 920033-63-2
• 化学式: C₉H₂₅NOSi₂
• 分子量: 219.475
• InChiKey: QIZPMILCISRTIF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  158-160 °C(Press: 750 Torr)
• 密度：
  0.837±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.6
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  12.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N,N-Bis(trimethylsilyl)-2-methoxyethylamine 、 4-((2-methoxyethyl)amino)pent-3-en-2-one 在 五氟丙酸 、 sodium t-butanolate 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 1.16h， 以91%的产率得到N-(2-methoxyethyl)-4-(2-methoxyethylimino)-2-penten-2-amine
  参考文献：
  名称：

  High Coordination Sphere Group 2 Metal B-Diketiminate Precursors

  摘要：

  本发明涉及高配位球Group 2金属β-二酮亚胺化合物，例如双(N-(2,2-甲氧基乙基)-4-(2,2-甲氧基乙基亚胺基)-2-戊烯-2-氨基) 钡；以及通过化学气相沉积、脉冲化学气相沉积、分子层沉积或原子层沉积沉积此类金属配体化合物的金属，以生产包含Group 2金属的薄膜，例如钡钛酸锶薄膜或钛酸锶薄膜或钡掺杂镧酸盐作为电子器件制造的高k材料。

  公开号：

  US20100173075A1
• 作为产物：
  描述：

  三甲基氯硅烷 、 2-甲氧基乙胺 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以60%的产率得到N,N-Bis(trimethylsilyl)-2-methoxyethylamine
  参考文献：
  名称：

  High Coordination Sphere Group 2 Metal B-Diketiminate Precursors

  摘要：

  本发明涉及高配位球Group 2金属β-二酮亚胺化合物，例如双(N-(2,2-甲氧基乙基)-4-(2,2-甲氧基乙基亚胺基)-2-戊烯-2-氨基) 钡；以及通过化学气相沉积、脉冲化学气相沉积、分子层沉积或原子层沉积沉积此类金属配体化合物的金属，以生产包含Group 2金属的薄膜，例如钡钛酸锶薄膜或钛酸锶薄膜或钡掺杂镧酸盐作为电子器件制造的高k材料。

  公开号：

  US20100173075A1

文献信息

• High coordination sphere group 2 metal β-diketiminate precursors
  申请人：Air Products and Chemicals, Inc.

  公开号：US08313807B2

  公开（公告）日：2012-11-20

  The present invention is directed to high coordination sphere Group 2 metal β-diketiminate compositions, such as bis(N-(2,2-methoxyethyl)-4-(2,2-methoxyethylimino)-2-penten-2-aminato) barium; and the deposition of the metals of such metal ligand compositions by chemical vapor deposition, pulsed chemical vapor deposition, molecular layer deposition or atomic layer deposition to produce Group 2 metal containing films, such as barium strontium titanate films or strontium titanate films or barium doped lanthanate as high k materials for electronic device manufacturing.

  本发明涉及高配位球Group 2金属β-二酮亚胺配合物，例如双(N-(2,2-甲氧基乙基)-4-(2,2-甲氧基乙基亚胺)-2-戊烯-2-氨基)钡；以及通过化学气相沉积、脉冲化学气相沉积、分子层沉积或原子层沉积沉积这种金属配体组成物的金属以产生Group 2金属含量的薄膜，例如钡钛酸锶薄膜或钛酸锶薄膜或掺钡镧高k材料用于电子器件制造。
• Organosilicon synthesis of isocyanates: II. Synthesis of aliphatic, carbocyclic, and fatty-aromatic isocyanates
  作者：A. V. Lebedev、A. B. Lebedeva、V. D. Sheludyakov、S. N. Ovcharuk、E. A. Kovaleva、O. L. Ustinova

  DOI：10.1134/s1070363206030182

  日期：2006.3

  Silylation of a series of aliphatic, carbocyclic, and fatty-aromatic amines gave the corresponding silyl derivatives whose yield depended on the electronic and steric structure of the substrate and the nature of the silylating agent. The yield of isocyanates obtained by phosgenation of the silyl derivatives under mild conditions decreased in going from aliphatic amines to benzylamines and rose as the length of the alkyl chain in fatty-aromatic amines extended. The most convenient procedure for the synthesis of low-boiling alkyl isocyanates was found to be based on the transformation of amines or ammonium salts into silyl or silyl silyl-carabamates. followed by pyrolysis of the latter in the presence of trichloro(phenyl)silane.
• High Coordination Sphere Group 2 Metal B-Diketiminate Precursors
  申请人：Norman John Anthony Thomas

  公开号：US20100173075A1

  公开（公告）日：2010-07-08

  The present invention is directed to high coordination sphere Group 2 metal β-diketiminate compositions, such as bis(N-(2,2-methoxyethyl)-4-(2,2-methoxyethylimino)-2-penten-2-aminato) barium; and the deposition of the metals of such metal ligand compositions by chemical vapor deposition, pulsed chemical vapor deposition, molecular layer deposition or atomic layer deposition to produce Group 2 metal containing films, such as barium strontium titanate films or strontium titanate films or barium doped lanthanate as high k materials for electronic device manufacturing.

  本发明涉及高配位球Group 2金属β-二酮亚胺化合物，例如双(N-(2,2-甲氧基乙基)-4-(2,2-甲氧基乙基亚胺基)-2-戊烯-2-氨基) 钡；以及通过化学气相沉积、脉冲化学气相沉积、分子层沉积或原子层沉积沉积此类金属配体化合物的金属，以生产包含Group 2金属的薄膜，例如钡钛酸锶薄膜或钛酸锶薄膜或钡掺杂镧酸盐作为电子器件制造的高k材料。