silicon monoxide | 141801-69-6

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 类金属有机物
• 英文名称: silicon monoxide
• 英文别名: Silane;hydrate；silane;hydrate
• CAS: 141801-69-6
• 化学式: OSi
• 分子量: 44.0849
• InChiKey: IMJRKWHUYBZDFD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.28
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  1
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  silicon monoxide 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 硅烷
  参考文献：
  名称：

  通过 SiO 热蒸发制造的 1.5 µm 发光硅纳米线

  摘要：

  通过阴极发光研究了通过热蒸发 SiO 制造的硅纳米线 (NW)。观察到约 1550 nm (0.8 eV) 的波段。它出现在 225 K 以上，其强度随着温度的升高而增加。宽带由与缺陷相关的 D1 和 D2 线组成，并且应该由 NW 内的扩展缺陷形成，这些缺陷用氧装饰。此外，发现与氧化硅和/或氧化硅和氧化硅之间的界面有关的发光带。此外，观察到 Si 带间线和 G 中心。(© 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

  DOI：

  10.1002/pssa.200622143
• 作为产物：
  描述：

  正硅酸甲酯 在 盐酸 、 sodium nitrate 、 十六烷基三甲基溴化铵 作用下， 以 水 为溶剂， 反应 72.0h， 生成 silicon monoxide
  参考文献：
  名称：

  “界面和离子交换处的原位氧化”偶合介孔氧化硅的双改性及其在气相甲苯氧化中的催化活性

  摘要：

  已经开发了双修饰合成方法-“在界面处原位氧化（IOI）与离子交换耦合”-用于介孔氧化硅（MPS）模板的内表面修饰。首先，通过IOI在MPS模板的内表面形成氧化锰。在IOI方法中，锰高价含氧阴离子（MNO 4 - ）用于聚（环氧乙烷）的选择性氧化的的Pluronic P123的（PEO）基团（PEO 20 PPO 70 PEO 20 ; PPO =聚（环氧丙烷）表面活性剂，它们在有机-无机（电晕）界面形成了氧化锰。带正电的CTA +限制了电晕界面处的氧化物形成阳离子表面活性剂CTABr的（鲸蜡基三甲基铵）头基。然后，还通过阳离子和CTA +之间的离子交换反应引入促进剂阳离子（Cs +，K +或H +）来进行MPS模板的第二次修饰。所述bimodified MPS 锰 X（X =铯，K或H）的样品保存中孔隙和高表面的MPS模板的区域。所述bimodified MPS 锰 X被发现样品为

  DOI：

  10.1002/cctc.201200429
• 作为试剂：
  描述：

  methane 在 silicon monoxide 作用下， 1500.0 ℃ 、152.0 kPa 条件下， 反应 3.0h， 生成 silicon carbide
  参考文献：
  名称：

  SiC纳米线的断裂应变和在应变纳米线中电子束诱导非晶化的直接证据。

  摘要：

  直径范围从29到270 nm的SiC纳米线表现出5.5％的平均应变，最大不超过7.0％。通过透射电子显微镜（TEM）分析证实了所测量的纳米线的脆性断裂。这项研究表明，在正常的TEM检查过程中，染色的SiC纳米线中会发生非晶化，这可能是由电子辐照引起的。

  DOI：

  10.1002/smll.201402202

文献信息

• Matrixreaktion von SiO mit F2. IR-spektroskopischer nachweis von molekularem OSiF2
  作者：H. Schnöckle

  DOI：10.1016/0022-2860(80)85184-2

  日期：1980.8

  Abstract SiO reacts with F 2 , in an argon matrix after photolysis with a high-pressure mercury lamp to form OSiF 2 . Isotopic splitting ( 16 O/ 18 O and 28 Si/ 29 Si) and force constant calculations show that the 6 fundamentals observed can be assigned to the planar molecule OSiF 2 . The value of the force constant of the SiO double bond, which was calculated as approximately 9 × 10 2 N m −1 in earlier

  摘要 SiO 在高压汞灯光解后在氩基体中与F 2 反应生成OSiF 2 。同位素分裂（ 16 O/ 18 O 和 28 Si/ 29 Si）和力常数计算表明，观察到的 6 个基本原理可以分配给平面分子 OSiF 2 。这项工作证实了 SiO 双键的力常数值，在早期的研究中计算为大约 9 × 10 2 N m -1。
• Electronic quenching and chemical reactions of SiH radicals in the gas phase
  作者：Masahiro Nemoto、Atsushi Suzuki、Hiroshi Nakamura、Kazuhiko Shibuya、Kinichi Obi

  DOI：10.1016/0009-2614(89)87009-5

  日期：1989.10

  SiH radicals in the gas phase have been studied by LIF following the 193 and 248 nm photolysis of phenylsilane. The rate constants of electronic quenching by NO and O2 of SiH A 2Δ with a zero-pressure lifetime of 490±40 ns are determined to be (4.6±0.3) × 10−10 and (1.3±0.2) × 10−10 cm3 molecule−1 s−1, respectively. The reactions of SiH X 2Π with NO, O2, SiH4, and phenylsilane proceed at rates of (2

  在193和248 nm的苯基硅烷光解之后，通过LIF研究了气相中的SiH自由基。由NO和电子淬火速率常数Ô 2的SiH A的2 Δ与490±40毫微秒的零压力寿命被确定为（4.6±0.3）×10 -10和（1.3±0.2）×10 -10 cm 3分子-1 s -1。的SiH X的反应2 Π与NO，O- 2，的SiH 4，和苯基硅烷继续在10的速率（2.5±0.3）× -10，（1.7±0.2）×10 -10，（2.8±0.6）×10 - 10和≈3×10 -10厘米分别为3个分子-1 s -1。与等价CH自由基的猝灭和反应机理进行了讨论。
• Gold nanowires from silicon nanowire templates
  作者：T. C. Wong、C. P. Li、R. Q. Zhang、S. T. Lee

  DOI：10.1063/1.1641179

  日期：2004.1.19

  The work described in this letter is supported by two grants from the Research Grants Council of the Hong Kong SAR, China ~Project No. 8730016, e.g., CityU 3/01C; Project No. 9040633, e.g., CityU 1011/01P!, and by a grant from the Chinese Academy of Sciences, China.

  这封信中描述的工作得到了中国香港特别行政区研究资助局的两项资助 ~ 项目编号 8730016，例如城大 3/01C；项目编号 9040633，如城大 1011/01P!，由中国科学院资助。
• 1.5 µm luminescence of silicon nanowires fabricated by thermal evaporation of SiO
  作者：G. Jia、M. Kittler、Z. Su、D. Yang、J. Sha

  DOI：10.1002/pssa.200622143

  日期：2006.6

  Silicon nanowires (NWs) fabricated by thermal evaporation of SiO were studied by cathodoluminescence. A band around 1550 nm (0.8 eV) was observed. It appears above 225 K and its intensity increases with increasing temperature. The broad band consists of the defect-related D1 and D2 lines and is supposed to be formed by extended defects within the NWs that are decorated with oxygen. Moreover, luminescence

  通过阴极发光研究了通过热蒸发 SiO 制造的硅纳米线 (NW)。观察到约 1550 nm (0.8 eV) 的波段。它出现在 225 K 以上，其强度随着温度的升高而增加。宽带由与缺陷相关的 D1 和 D2 线组成，并且应该由 NW 内的扩展缺陷形成，这些缺陷用氧装饰。此外，发现与氧化硅和/或氧化硅和氧化硅之间的界面有关的发光带。此外，观察到 Si 带间线和 G 中心。(© 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
• Paramagnetic defects of silicon nanowires
  作者：A. Baumer、M. Stutzmann、M. S. Brandt、F. C.K. Au、S. T. Lee

  DOI：10.1063/1.1775288

  日期：2004.8.9

  The paramagnetic defects in and on Si nanowires (SiNWs) obtained by oxide-assisted growth were studied by conventional electron spin resonance spectroscopy. For the as-grown nanowires, three different defects were found: Dangling bonds or Pb-centers with g=2.0065, located at the interface of the crystalline core to the surrounding oxide, E′-centers with g=2.0005 and EX-centers with g=2.00252, located

  通过传统的电子自旋共振光谱研究了通过氧化物辅助生长获得的 Si 纳米线 (SiNW) 中和上的顺磁缺陷。对于生长的纳米线，发现了三种不同的缺陷：g=2.0065 的悬空键或 Pb 中心，位于晶核与周围氧化物的界面处，E' 中心，g=2.0005 和 EX 中心g=2.00252，位于氧化物中。对于 EX 中心，检测到由 16.4G 分隔的特征超细线。生长的 SiNW 显示出约 1018cm-3 的自旋密度。通过氢氟酸对纳米线的 H 终止使自旋密度急剧降低至 3×1016cm-3。