gadolinium disilicide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: gadolinium disilicide
• 化学式: GdSi₂
• 分子量: 213.421
• InChiKey: DUYRSXBNPJEOGP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.9
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  氢化钆 、 硅烷 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 gadolinium disilicide
  参考文献：
  名称：

  RM2X2 化合物的 EXAFS 和 X 射线衍射（R = 稀土，M> = 过渡金属，X = Si、Ge）

  摘要：

  EXAFS 通常用于获得难以从传统粉末 X 射线衍射中提取的局部距离。具有 Th Cr2Si2 结构的稀土化合物类别表现出非常有趣的特性，从超导重费米子到强混合价化合物。正是在这些化合物中，Th 和 Si 位点之间的局部距离只能从单晶的 X 射线衍射中推导出来。我们将在本文中展示，EXAFS 实验可以安全地用于在通常的 EXAFS 精度 ~ ± 0.02 A 内提取这些局部距离，但必须采取大量预防措施以避免虚假效应和虚假距离。

  DOI：

  10.1016/0038-1098(86)90588-0

文献信息

• Contact reaction between Si and rare earth metals
  作者：R. D. Thompson、B. Y. Tsaur、K. N. Tu

  DOI：10.1063/1.92442

  日期：1981.4

  Reactions between Si and thin films of rare‐earth metals (Gd, Dy, Ho, Er, plus Y and La) in the temperature range of 275–900 °C have been studied by using x‐ray diffraction and ion backscattering spectrometry. The disilicides of these metals are apparently the first phase to form, forming rapidly within a narrow temperature range (325–400 °C), and are stable up to 900 °C. The growth does not follow

  已经使用 X 射线衍射和离子背散射光谱法研究了 Si 与稀土金属（Gd、Dy、Ho、Er、加上 Y 和 La）薄膜在 275-900°C 温度范围内的反应。这些金属的二硅化物显然是第一个形成的相，在狭窄的温度范围 (325–400 °C) 内迅速形成，并在高达 900 °C 时保持稳定。增长不遵循分层增长模式。
• On the formation and structural properties of hexagonal rare earth (Y, Gd, Dy, Er and Yb) disilicide thin films
  作者：F.A. Geenen、W. Knaepen、J. Demeulemeester、K. De Keyser、J.L. Jordan-Sweet、C. Lavoie、A. Vantomme、C. Detavernier

  DOI：10.1016/j.jallcom.2014.04.142

  日期：2014.10

  Abstract A systematic study was performed of the solid state reaction between a 100 nm thick layer of a rare earth metal and a Si substrate. The solid state reaction of five different rare earth metals (yttrium, gadolinium, dysprosium, erbium and ytterbium) were studied by in situ X-ray diffraction measurements on Si(1 0 0), Si(1 1 1) and poly-Si. This allowed us to make a comparison between the different

  摘要 系统研究了 100 nm 厚的稀土金属层与 Si 衬底之间的固态反应。通过对 Si(1 0 0)、Si(1 1 1) 和多晶硅的原位 X 射线衍射测量，研究了五种不同稀土金属（钇、钆、镝、铒和镱）的固态反应。这使我们能够在不同的系统之间进行比较。对于所有检测的稀土金属，h-RESi1.7 的形成温度在 Si(1 1 1) 上最高，在多晶硅上最低。此外，通过非原位极图测量研究了 Si(1 0 0) 和 Si(1 1 1) 上 Gd 二硅化物相的织构。确定了六方晶系GdSi1.7 和正交晶系GdSi2 在不同Si 衬底上的外延关系。外延生长在 Si(1 1 1) 上最强。
• Structural chemistry, magnetism and electrical properties of binary Gd silicides and Ho3Si4
  作者：Jérome Roger、Volodymyr Babizhetskyy、Kurt Hiebl、Jean-François Halet、Roland Guérin

  DOI：10.1016/j.jallcom.2005.06.038

  日期：2006.1

  Abstract Binary gadolinium silicides were thoroughly investigated with respect to their structural chemistry and physical properties as well. Formation and structure types of all known binary phases were confirmed. In addition, a new binary compound Gd 3 Si 4 belonging to the Ho 3 Si 4 type was obtained through a sluggish peritectoidal reaction between the binary phases GdSi and GdSi 2− x . In addition

  摘要 对二元钆硅化物的结构化学和物理性质也进行了彻底的研究。确认了所有已知二元相的形成和结构类型。此外，通过二元相GdSi和GdSi 2- x 之间缓慢的包晶反应，获得了属于Ho 3 Si 4 型的新型二元化合物Gd 3 Si 4 。此外，还确认了GdSi 2- x 相（AlB 2 型）的均质范围的极限。此外，由X射线单晶数据确定Gd 5 Si 3 (Mn 5 Si 3 型)和GdSi(FeB型)的晶体结构。已经研究了该系统中遇到的大多数二元 Gd-Si 相的磁和电特性。磁性的特点是在 100 K 以下开始磁性有序。Gd 5 Si 3 显示在 TN = 75 K 处的反铁磁跃迁，GdSi 在 TC = 78 K 处呈弱铁磁性有序，随后在 TN = 54 K 处进行反铁磁自旋排列，GdSi 2− x 在 TN = 54 K 和TC = 35 K 和 GdSi 2 表现出相同的行为，但在 TN
• Magnetic properties of rare earth disilicides RSi2
  作者：J Pierre、E Siaud、D Frachon

  DOI：10.1016/0022-5088(88)90014-8

  日期：1988.5
• Fitzmaurice, Jonathan C.; Hector, Andrew L.; Parkin, Ivan P., Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, 1995, vol. 101, # 1-4, p. 47 - 56
  作者：Fitzmaurice, Jonathan C.、Hector, Andrew L.、Parkin, Ivan P.、Rowley , Adrian T.

  DOI：——

  日期：——