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氮化锗(III) | 12065-36-0

中文名称
氮化锗(III)
中文别名
氮化锗
英文名称
Germanium nitride
英文别名
——
氮化锗(III)化学式
CAS
12065-36-0
化学式
Ge3N4
mdl
——
分子量
273.9
InChiKey
BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 熔点:
    >850 °C (dec.)(lit.)
  • 密度:
    5.35 g/mL at 25 °C(lit.)
  • 溶解度:
    不溶于水、酸溶液、王水
  • 稳定性/保质期:
    不溶于水,与大多数无机酸及腐蚀性溶液不会发生反应。在700℃时可被氢气还原,在850℃会与氧气反应,在600至700℃之间会与氯气反应,并在900至1000℃下分解。

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -1.42
  • 重原子数:
    7
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    74.6
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

安全信息

  • TSCA:
    Yes
  • 危险品标志:
    Xi
  • 安全说明:
    S26,S36
  • 危险类别码:
    R36/37/38
  • WGK Germany:
    3

制备方法与用途

背景

ⅢA和ⅣA族元素的氮化物由于具有优异的力学性质和热力学性能,通常可以作为高温结构材料、催化剂、发光二极管和难熔陶瓷来使用。目前的研究主要集中在BN和Si₃N₄材料上,关于氮化锗(Ge₃N₄)的研究相对较少。实际上,因为Ge原子比Si原子的载流子迁移率高,所以用锗制造的半导体场效应管具备更加优异的性能。此外,Ge原子的半径较大,因此Ge₃N₄发生相变的临界压强要低于Si₃N₄的相变压。氮化锗还具有耐腐蚀、硬度高、带隙可调节等优点,因此具有很大的应用前景。

物化性质

不溶于水,与大多数无机酸和腐蚀性溶液不反应。700℃可以被氢气还原;850℃时与氧气反应;600~700℃与氯气反应;900~1000℃下分解。

多形性研究

采用量子化学从头算方法,对Ge₃N₄的四方、单斜和正交结构同质异相体的微结构、态密度和声子谱进行了研究。结果表明形成焓为负值、弹性常数满足Born稳定性准则且声子谱无虚频等均证实在0.20GPa范围内3种相都能保持结构稳定。温度变化影响到晶胞体积,从而使体模量发生改变。3种Ge₃N₄都属于半导体,Ge原子和N原子之间存在明显的s-p杂化现象。当压强增大时诱发了离域电子,从而使体系的带隙减小。

合成方法
  1. 将Ge粉在液氨中加热到650~700℃即可生成氮化锗浅褐色粉末。
  2. GeCl₄与H₂O直接反应生成GeO₂,GeO₂在液氨中转化为Ge(NH)₂,该化合物不稳定,在150℃时转化成Ge₂N₃H,而Ge₂N₃H在350℃又进一步转化为Ge₃N₄。
生产方法

生产方法与合成方法基本一致。