ⅢA和ⅣA族元素的氮化物由于具有优异的力学性质和热力学性能,通常可以作为高温结构材料、催化剂、发光二极管和难熔陶瓷来使用。目前的研究主要集中在BN和Si₃N₄材料上,关于氮化锗(Ge₃N₄)的研究相对较少。实际上,因为Ge原子比Si原子的载流子迁移率高,所以用锗制造的半导体场效应管具备更加优异的性能。此外,Ge原子的半径较大,因此Ge₃N₄发生相变的临界压强要低于Si₃N₄的相变压。氮化锗还具有耐腐蚀、硬度高、带隙可调节等优点,因此具有很大的应用前景。
物化性质不溶于水,与大多数无机酸和腐蚀性溶液不反应。700℃可以被氢气还原;850℃时与氧气反应;600~700℃与氯气反应;900~1000℃下分解。
多形性研究采用量子化学从头算方法,对Ge₃N₄的四方、单斜和正交结构同质异相体的微结构、态密度和声子谱进行了研究。结果表明形成焓为负值、弹性常数满足Born稳定性准则且声子谱无虚频等均证实在0.20GPa范围内3种相都能保持结构稳定。温度变化影响到晶胞体积,从而使体模量发生改变。3种Ge₃N₄都属于半导体,Ge原子和N原子之间存在明显的s-p杂化现象。当压强增大时诱发了离域电子,从而使体系的带隙减小。
合成方法生产方法与合成方法基本一致。