silicon oxynitride | 12033-76-0

• 分子结构分类: 无机化合物
• 英文名称: silicon oxynitride
• 英文别名: silicon nitride oxide；silicon oxinitride；interpoly-oxynitride；Silicon nitride oxide (Si2N2O)；azane;silane;hydrate
• CAS: 12033-76-0
• 化学式: NOSi
• 分子量: 67.163
• InChiKey: XLISFYGXYAQPFW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.11
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  66.5
• 氢给体数：
  1.0
• 氢受体数：
  1.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  silicon oxynitride 、 yttrium(III) oxide 以 solid 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  硅酸盐/Si(001) 界面的表征

  摘要：

  许多提议的用于硅基微电子的高介电常数栅极电介质依赖于堆叠配置，并使用 SiO2 缓冲层提供界面。我们描述了一种通过氧化钇和氮氧化硅的固态反应创建具有直接硅酸钇-硅界面的栅极电介质的方法，避免制备无氧化物的硅表面。中等能量离子散射的表征表明在高温退火过程中通过形成硅酸盐完全消耗了下面的氧化物。此外，硅酸盐电介质表现出小的平带电压偏移，表明电荷量低，没有钝化步骤。通过简单的路线创建硅酸盐-硅界面可以研究另一种类型的电介质。

  DOI：

  10.1063/1.1524296
• 作为产物：
  描述：

  六氯乙硅烷 在 氮气 、 氨 、 一氧化二氮 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 silicon oxynitride
  参考文献：
  名称：

  Hexachlorodisilane as a Precursor in the LPCVD of Silicon Dioxide and Silicon Oxynitride Films

  摘要：

  DOI：

  10.1149/1.2097375

文献信息

• Optical loss mechanisms in GeSiON planar waveguides
  作者：A. V. Osinsky、R. A. Bellman、I. A. Akwani、P. A. Sachenik、S. L. Logunov、J. W. McCamy

  DOI：10.1063/1.1507611

  日期：2002.9.9

  found to dominate the optical loss in the 1.5–1.6 μm range in high index GeSiON-based planar waveguides deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition using hydrogen-based precursors. The fundamental N–H bond-related absorption and its double frequency overtone were measured to be ∼560 cm−1 and 1.8 cm−1, respectively, resulting in their ratio of 310±10. The optical loss, extracted from analysis

  在使用氢基前驱体通过等离子体增强化学气相沉积沉积的高指数 GeSiON 基平面波导中，与基本 N-H 键相关的振动的双频泛音主导了 1.5-1.6 μm 范围内的光学损耗。基本的 N-H 键相关吸收及其双频泛音测量分别为~560 cm-1 和 1.8 cm-1，导致它们的比率为 310±10。从 N-H 相关吸收分析中提取的光损耗与波导结构中直接测量的光损耗一致。结果表明，使用氘化前体会导致在 GeSiON 薄膜中掺入 N-D 键。氘代薄膜中的 N-H 键吸收带被消除，导致通信带中的光损耗低。
• High Reliability Ultrathin Interpolyoxynitride Dielectrics Prepared by N[sub 2]O Plasma Annealing
  作者：Jer Chyi Wang、Jam Wem Lee、Liang Tai Kuo、Tan Fu Lei、Chung Len Lee

  DOI：10.1149/1.1619993

  日期：——

  This work addresses the preparation of ultrathin (effective oxide thickness, 42 A) interpoly-oxynitride (SiO x N y ) films by annealing thin nitride films with high density N 2 O plasma and N 2 O rapid thermal annealing. The proposed oxynitride dielectrics formed using N 2 O plasma annealing exhibited low gate leakage current, high breakdown electric field, long ten-year lifetime, and large effective

  这项工作致力于通过使用高密度 N 2 O 等离子体和 N 2 O 快速热退火对薄氮化物薄膜进行退火来制备超薄（有效氧化物厚度，42 A）多氧氮化物 (SiO x N y ) 薄膜。所提出的使用 N 2 O 等离子体退火形成的氧氮化物电介质表现出低栅极漏电流、高击穿电场、长十年寿命和大有效势垒高度。这些优异的性能可归因于聚-II/氮化物界面中掺入的高浓度氧以及聚氧氮化物间膜的陷阱密度的降低。电介质是电可擦除可编程只读存储器的多氧化层间的合适替代品。
• Enhancement of SiO₂/GaAs interface properties by electron cyclotron resonance plasma‐enhanced chemical vapor deposition and Ga outdiffusion control
  作者：Suehiro Sugitani、Kazuyoshi Asai

  DOI：10.1063/1.105531

  日期：1991.7

  High quality electron cyclotron resonance plasma‐enhanced chemical vapor deposition SiO2 film and annealing are investigated in an effort to enhance SiO2/GaAs interface properties. Dramatic reduction of interface state density is achieved by reducing nitrogen and hydrogen impurities in the SiO2 film and optimizing the annealing temperature. A minimum interface state density of 3×1010 eV−1 cm−2 is obtained

  研究了高质量电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积 SiO2 膜和退火，以提高 SiO2/GaAs 界面特性。通过减少SiO2薄膜中的氮和氢杂质并优化退火温度来实现界面态密度的显着降低。在 690 °C 下退火 30 分钟的 SiO2/GaAs 中获得的最小界面态密度为 3×1010 eV-1 cm-2。二次离子质谱数据表明界面态密度的降低可能与 Ga 向外扩散到 SiO2 膜中的量有关。
• Controlling defect and Si nanoparticle luminescence from silicon oxynitride films with CO2 laser annealing
  作者：Anuranjita Tewary、Rohan D. Kekatpure、Mark L. Brongersma

  DOI：10.1063/1.2178769

  日期：2006.2.27

  presence of crystalline Si nanoparticles. Photoluminescence (PL) spectra taken from irradiated areas showed two distinct peaks around 570 and 800nm. From a combined TEM, Rutherford back scattering (RBS), forming gas annealing (FGA), PL, and PL lifetime study it is concluded that the 570nm peak with a short PL lifetime (<10ns) is related to defects characteristic of silicon suboxides and that the 800nm

  我们证明了聚焦的 CO2 激光束 (λ=10.6μm) 可用于在富硅氧氮化物薄膜中局部合成发光缺陷和 Si 纳米粒子。化学计量为 SiO1.08N0.32 的薄膜是通过等离子体增强化学气相沉积与 N2O 和 SiH4 制备的。然后使用强吸收 激光在空气环境中使用 0 至 580W∕cm2 范围内的功率密度和 5 秒至 60 分钟的时间在薄膜中引起局部加热。照射区域的高分辨率横截面透射电子显微镜 (TEM) 图像显示存在结晶硅纳米颗粒。从照射区域获取的光致发光 (PL) 光谱在 570 和 800nm 附近显示出两个不同的峰。从组合 TEM、卢瑟福背散射 (RBS)、合成气体退火 (FGA)、PL、
• Verification of the O–Si–N complex in plasma-enhanced chemical vapor deposition silicon oxynitride films
  作者：Sudipto Naskar、Scott D. Wolter、Christopher A. Bower、Brian R. Stoner、Jeffrey T. Glass

  DOI：10.1063/1.2158022

  日期：2005.12.26

  Silicon oxynitride films were deposited using a plasma-enhanced chemical vapor deposition process. The bond configurations of the constituent atoms in the deposited film were analyzed using x-ray photoelectron spectroscopy. Analysis of the Si 2p spectra showed the presence of nonstoichiometric silicon oxide and silicon oxynitride. Analysis of the binding energy shifts induced by Si–O and Si–N bond

  使用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积氮氧化硅薄膜。使用X射线光电子能谱分析沉积膜中组成原子的键构型。Si 2p 光谱的分析表明存在非化学计量的氧化硅和氧氮化硅。对由 Si-O 和 Si-N 键形成引起的结合能位移的分析表明，膜基质中存在 O-Si-N 复合物。成分平衡分析表明，次近邻键相互作用不是这些能量转移的原因，并支持 O-Si-N 复合物的存在。