catalysts owing to their unique properties. Boron-based compounds, which exhibit a polymorphic nature, are an attractive choice for developing boron-based two-dimensional materials. Among them, rhombohedral boron monosulfide (r-BS) has recently attracted considerable attention owing to its unique layered structure similar to that of transition metal dichalcogenides and a layer-dependent bandgap. However
二维材料由于其独特的性能在电子器件和催化剂中有着广泛的应用。
硼基化合物具有多晶型特性,是开发
硼基二维材料的有吸引力的选择。其中,菱形一
硫化
硼(r-BS)由于其独特的类似于过渡
金属二
硫化物的层状结构和层依赖性带隙最近引起了相当大的关注。然而,缺乏阐明 r-BS 半导体中电荷载流子类型的实验证据。在这项研究中,我们合成了 r-BS,并通过测量塞贝克系数和光电
化学响应来评估其作为半导体的性能。在两次测量中都观察到了 p 型半导体独有的特性,表明合成的 r-BS 是 p 型半导体。此外,在傅里叶变换红外吸收光谱中观察到明显的 Fano 共振,这归因于 E(2) (TO) 声子模式与 r-BS 能带结构中的电子之间的 Fano 共振,表明 p 型载流子本质上掺杂在合成的 r-BS 中。这些结果展示了 r-BS 潜在的未来应用前景。