CCl4 is not only an oxidation-resistant precipitant for crystallization from MeCN but it also enters the lattice. In this way, we synthesized and characterized an Ir(V,V) mono-μ-oxo dimer which only forms at a very high potential (1.9 V vs NHE). This compound, having the highest isolated oxidation state in this redox-active system, cannot be formed chemically. DFT calculations show that the oxidation
我们报告了一种制备和结晶高度
氧化的
金属配合物的通用方法,这些方法很难通过常规方法制备和处理。该方法通过用易
氧化的化合物代替易
氧化的有机电解质和沉淀剂,从而改善了这些反应物种的典型本体电解和结晶条件。具体而言,我们发现CsPF 6是
乙腈中的一种有效的惰性电解质,并且似乎对这种溶剂中的电
化学研究具有普遍的适用性。同样,CCl 4不仅是从MeCN结晶的抗
氧化沉淀剂,而且还进入晶格。这样,我们合成并表征了仅在非常高的电势下形成的Ir(V,V)单-μ-
氧代二聚体(相对于NHE为1.9 V)。该化合物在该
氧化还原活性体系中具有最高的孤立
氧化态,无法
化学形成。DFT计算表明,
氧化作用集中在Ir–O–Ir核上,并由pyalk(2-(2-pyridinyl)-2-propanolate)
配体提供的强电子给予了促进作用。TD-DFT对紫外线-可见光谱的模拟显示,其宝蓝色是由具有L
MCT和允许拉波特的d-d混合