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9,10-Dibromo-1-methoxyanthracene | 403501-39-3

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
9,10-Dibromo-1-methoxyanthracene
英文别名
——
9,10-Dibromo-1-methoxyanthracene化学式
CAS
403501-39-3
化学式
C15H10Br2O
mdl
——
分子量
366.05
InChiKey
BHUDCPGTXIEAPT-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.8
  • 重原子数:
    18
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.07
  • 拓扑面积:
    9.2
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    1

文献信息

  • Photomask and manufacturing method of an electronic device therewith
    申请人:——
    公开号:US20020086222A1
    公开(公告)日:2002-07-04
    In the step of manufacturing a photomask, an opaque pattern is formed by using a photosensitive resin composition containing a specified light absorbent, which then used to manufacture a photomask for KrF excimer laser lithography in a short manufacturing time and at a reduced cost. Accordingly, the manufacturing time and the cost for semiconductor integrated circuit devices is reduced.
    在制造光掩膜的步骤中,通过使用含有特定光吸收剂的光敏树脂组合物形成不透明图案,然后用它来制造用于 KrF 准分子激光光刻的光掩膜,制造时间短,成本低。因此,半导体集成电路设备的制造时间和成本都得以降低。
  • Photo mask
    申请人:——
    公开号:US20030129505A1
    公开(公告)日:2003-07-10
    Providing a photo mask for KrF excimer laser lithography, which can be produced with high accuracy and low defects in a smaller number of steps. A photo mask for KrF excimer laser lithography according to the present invention is one in which a resist pattern 18 efficiently absorbing a KrF excimer laser light (wavelength: about 248 nm) is formed directly on a quartz substrate 10. The resist pattern 18 comprises: an aqueous alkali-soluble resin having a high light shielding property, which incorporates a naphthol structure having at least one hydroxyl group bound to a naphthalene nucleus; or a radiation sensitive resist having, as a main component, an aqueous alkali-soluble resin containing a derivative of the above-mentioned aqueous alkali-soluble resin as a resin matrix.
    提供一种用于 KrF 准分子激光光刻的光掩膜,它可以用较少的步骤生产出高精度和低缺陷的光掩膜。根据本发明,用于 KrF 准分子激光光刻的光掩膜是一种抗蚀剂图案 18 在石英基底上直接形成能有效吸收 KrF 准分子激光(波长:约 248 纳米)的光刻胶图案 18。 10. 抗蚀图案 18 包括:具有高光屏蔽性能的性碱溶性树脂,其中包含一个萘酚结构,该萘酚结构具有至少一个与核结合的羟基;或辐射敏感抗蚀剂,其主要成分为性碱溶性树脂,其中含有上述性碱溶性树脂的衍生物作为树脂基体。
  • US6790564B2
    申请人:——
    公开号:US6790564B2
    公开(公告)日:2004-09-14
  • US7005216B2
    申请人:——
    公开号:US7005216B2
    公开(公告)日:2006-02-28
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