Selane;sulfane

• 分子结构分类: 无机化合物 - 均质非金属化合物 - 其他非金属有机物
• 英文名称: Selane;sulfane
• 英文别名: selane;sulfane
• 化学式: S₀Se₀
• 分子量: 69.5812
• InChiKey: JRAZOFNHRCNZJH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.8
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  selenium 、 sulfur 以 melt 为溶剂， 反应 12.0h， 生成 Selane;sulfane
  参考文献：
  名称：

  SeTe 玻璃膜中等价硫掺杂赋予的带隙可调性：与 Kastner 和单振荡器模型的相关性

  摘要：

  摘要 通过真空蒸发技术沉积了硫 (S) 掺入 SeTe 的薄膜，其化学成分为 Se80Te20-xSx（x = 0、5、10、15，表示掺入的硫的重量百分比）。在 SeTe 合金中加入 S 导致玻璃化转变温度从 333 K 降低到 314 K。所研究的薄膜本质上是非晶态的，厚度约为 250 nm。与纯碲化硒 (SeTe) 膜相比，导电率表现出提高至 10 wt% 的硫掺杂，高于此值时，由于微结构孔隙率和带隙增强，导电率明显降低。据推断，减小的晶粒尺寸和致密的形态导致更高的吸收系数值以及电导率的增强。有趣的是，用 S 替换导致带隙从 1.81 单调增加到 2.60eV 并降低吸收系数。观察到的 S 掺入样品的带隙趋势与 Kastner 和单振荡器模型一致。

  DOI：

  10.1016/j.jallcom.2020.155441

文献信息

• Bandgap tunability endowed by isovalent sulphur doping in SeTe glassy films: Correlation with Kastner’s and single oscillator models
  作者：Raja Saifu Rahman、Mohd Shoab、Zubair M.S.H. Khan、Zubair Aslam、Kandasami Asokan、Mohammad Zulfequar

  DOI：10.1016/j.jallcom.2020.155441

  日期：2020.9

  Abstract Thin films of sulphur (S) incorporated SeTe with chemical composition of Se80Te20-xSx (x = 0, 5, 10, 15, indicate the weight percentage of sulphur incorporated) were deposited via vacuum evaporation technique. S incorporation in the SeTe alloy led to reduction in the glass transition temperature from 333 K to 314 K. The investigated films were amorphous in nature with a thickness of ∼250 nm

  摘要 通过真空蒸发技术沉积了硫 (S) 掺入 SeTe 的薄膜，其化学成分为 Se80Te20-xSx（x = 0、5、10、15，表示掺入的硫的重量百分比）。在 SeTe 合金中加入 S 导致玻璃化转变温度从 333 K 降低到 314 K。所研究的薄膜本质上是非晶态的，厚度约为 250 nm。与纯碲化硒 (SeTe) 膜相比，导电率表现出提高至 10 wt% 的硫掺杂，高于此值时，由于微结构孔隙率和带隙增强，导电率明显降低。据推断，减小的晶粒尺寸和致密的形态导致更高的吸收系数值以及电导率的增强。有趣的是，用 S 替换导致带隙从 1.81 单调增加到 2.60eV 并降低吸收系数。观察到的 S 掺入样品的带隙趋势与 Kastner 和单振荡器模型一致。
• Investigation on vibrational and structural properties of amorphous alloys produced by mechanical alloying by Raman spectroscopy, X-ray diffraction, EXAFS and RMC simulations
  作者：K.D. Machado、A.S. Dubiel、E. Deflon、I.M. Kostrzepa、S.F. Stolf、D.F. Sanchez、P. Jóvári

  DOI：10.1016/j.ssc.2010.04.037

  日期：2010.8

  local atomic order of amorphous Se1−xSx alloys, x = 0.20 , 0.30 , produced by mechanical alloying were studied by Raman scattering, X-ray diffraction, EXAFS and reverse Monte Carlo simulations of their total structure factors and EXAFS oscillations on Se K edge. The results obtained were compared to those found for other Se1−xSx, x = 0 , 0.10 alloys, and the behavior of Raman modes, average coordination

  摘要 通过拉曼散射、X 射线衍射、EXAFS 和反向蒙特卡罗模拟研究了机械合金化产生的非晶 Se1−xSx 合金的局部原子序，x = 0.20 , 0.30 的总结构因子和 EXAFS 在 Se K 上的振荡边缘。将获得的结果与其他 Se1-xSx、x = 0、0.10 合金的结果进行比较，并确定拉曼模式的行为、平均配位数和原子间距离以及键角分布函数随着硫浓度的增加。
• Laitinen, Risto; Steidel, Juergen; Steudel, Ralf, Acta Chemica Scandinavica, Series A: Physical and Inorganic Chemistry, <hi>1980</hi>, vol. 34, p. 687 - 694
  作者：Laitinen, Risto、Steidel, Juergen、Steudel, Ralf

  DOI：——

  日期：——