详细研究了
邻苯二甲酸氢
钾(C 8 H 5 KO 4)作为特殊添加剂对酸性溶液(pH 2.5)对单相CuInS 2薄膜的一步电沉积的影响。XRD,
SEM和UV-vis-NIR表征证实,向含有12.5 mM Cu 2 +,10 mM In 3+,40 mM S的电解浴中添加了足够浓度的C 8 H 5 KO 4(23 mM)2 O 3 2-和100 mM LiCl可以对纯
黄铜矿CuInS 2的可控生长做出很大贡献具有均匀表面和理想带隙约为1.54 eV的薄膜。C 8 H 5 KO 4与Cu 2+和In 3+在电解液中的络合研究表明,C 8 H 5 KO 4可以比In 3+更强地络合Cu 2+并移动Cu 2+和In的电极电势通过极化分析确定3+彼此接近。此外,在一系列溶液系统中进行的电位动力学极化和电
化学阻抗谱(EIS)分析揭示了CuInS 2的三步反应机理沉积和吸附大量的C 8 ħ 5 ö 4 -和Cu(C