hexadecyltrimethylammonium trifluoroacetate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 英文名称: hexadecyltrimethylammonium trifluoroacetate
• 英文别名: Hexadecyl(trimethyl)azanium;2,2,2-trifluoroacetate
• 化学式: C₂F₃O₂*C₁₉H₄₂N
• 分子量: 397.565
• InChiKey: SGRFXNCVPIRMJF-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.47
• 重原子数：
  27
• 可旋转键数：
  15
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.95
• 拓扑面积：
  40.1
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  十六烷基三甲基溴化铵 、 silver trifluoroacetate 以 水 为溶剂， 生成 hexadecyltrimethylammonium trifluoroacetate
  参考文献：
  名称：

  烷基三甲基全氟羧酸铵胶束及其气/水界面吸附层的结构

  摘要：

  通过中子反射研究了十二烷基(C12)-和十六烷基(C16)-三甲基铵全氟乙酸、全氟丙酸和全氟丁酸吸附层的结构。一般来说，随着碳氟化合物抗衡离子大小的增加，表面活性剂变得更具表面活性，如临界胶束浓度 (cmc) 的值所示。然而，每个表面活性剂离子对占据的面积随着全氟抗衡离子的大小而增加。对于十二烷基化合物，cmc 处的限制面积增加了从 50 到 63 到 64 A2。全氟羧酸根离子更容易并入 C16 而不是 C12 层，但只有在 C16 三甲基全氟丁酸铵的情况下，才能通过反射实验确定抗衡离子分布的中心位置。还通过中子小角散射研究了六种化合物的胶束聚集。主要趋势是抗衡离子从全氟乙酸盐到全氟丁酸盐的变化导致聚集体的椭圆率显着增加，对于 CF3COO 和 C2F5COO 离子，C16 聚集体比 C12 聚集体大得多且椭圆度更高，但它们具有可比性（ C3F7COO 离子具有较大的散射），并且温度从 25

  DOI：

  10.1039/b201562p

文献信息

• COMPOSITION FOR POROUS FILM FORMATION, POROUS FILMS, PROCESS FOR PRODUCTION OF THE FILMS, INTERLAYER DIELECTRICS, AND SEMICONDUCTOR DEVICES
  申请人：MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

  公开号：EP1580804A1

  公开（公告）日：2005-09-28

  A composition capable of forming porous films which are excellent in dielectric characteristics, close adhesion, uniformity of application, and mechanical strengths and are reduced in moisture absorption; porous films; a process for the production of the films; and semiconductor devices which have the films built-in and exhibit high performance and high reliability. The composition comprises a surfactant and a solution containing a polymer obtained by condensation of at least one alkoxysilane represented by the general formula (1) with at least one alkoxysilane represented by the general formula (2) through hydrolysis in the presence of a surfactant: (R<1>)mSi(OR<2>)4-m (1) R<3>Si(R<4>)n(OR<5>)3-n (2) (wherein R<1> is substituted or unsubstituted hydrocarbyl; R<2> is alkyl having 1 to 4 carbon atoms; R<3> is linear or branched alkyl having 8 to 30 carbon atoms; R<4> is substituted or unsubstituted hydrocarbyl; R<5> is alkyl having 1 to 4 carbon atoms; m is an integer of 0 to 3; and n is an integer of 0 to 2). The process comprises the step of applying the composition and the step of converting the obtained coating film into a porous film.

  一种能形成多孔薄膜的组合物，该多孔薄膜在介电特性、紧密粘合性、应用均匀性和机械强度等方面都很出色，而且吸湿性较低；多孔薄膜；生产该薄膜的工艺；以及内置该薄膜并表现出高性能和高可靠性的半导体器件。该组合物包括表面活性剂和含有聚合物的溶液，聚合物是由通式(1)代表的至少一种烷氧基硅烷与通式(2)代表的至少一种烷氧基硅烷在表面活性剂存在下通过水解缩合得到的：(R)mSi(OR)4-m (1) RSi(R)n(OR)3-n (2) （其中 R 是取代或未取代的烃基；R 是具有 1 至 4 个碳原子的烷基；R 是具有 8 至 30 个碳原子的直链或支链烷基；R 是取代或未取代的烃基；R 是具有 1 至 4 个碳原子的烷基；m 是 0 至 3 的整数；n 是 0 至 2 的整数）。该工艺包括施用组合物的步骤和将获得的涂膜转化为多孔膜的步骤。
• Composition for forming porous film, porous film and method for forming the same, interlevel insulator film, and semiconductor device
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20040201007A1

  公开（公告）日：2004-10-14

  Provided is a coating liquid which can easily form a porous film having desirably controlled thickness by the method used for a usual semiconductor process, and having an excellent mesopore channel structure. Specifically provided is a composition for forming porous film comprising a surfactant, an aprotic polar solvent and a solution comprising a polymer formed by hydrolysis and condensation of one or more silane compounds represented by foramula (1): RnSi(OR′) 4-n . Also provided is a method for manufacturing a porous film comprising steps of applying said composition so as to form a film, drying the film and transforming the dried film to a porous film by removing said surfactant. The porous film obtained from the composition for forming porous film is further provided.

  本发明提供了一种涂布液，该涂布液可以用通常的半导体工艺方法容易地形成多孔膜，其厚度可以得到理想的控制，并且具有优异的中孔通道结构。具体地说，本发明提供了一种用于形成多孔膜的组合物，该组合物包括表面活性剂、壬烷极性溶剂和一种溶液，该溶液包括由一种或多种硅烷化合物水解和缩合形成的聚合物，这些硅烷化合物由式(1)表示：RnSi(OR′) 4-n .此外，还提供了一种制造多孔薄膜的方法，包括以下步骤：使用所述组合物以形成薄膜，干燥薄膜，并通过去除所述表面活性剂将干燥薄膜转化为多孔薄膜。还提供了由用于形成多孔薄膜的组合物得到的多孔薄膜。
• Perfluoroalkylation process
  申请人：ETHYL CORPORATION

  公开号：EP0307519B1

  公开（公告）日：1991-04-17
• US4814480A
  申请人：——

  公开号：US4814480A

  公开（公告）日：1989-03-21
• US7119354B2
  申请人：——

  公开号：US7119354B2

  公开（公告）日：2006-10-10