triphenylsulfonium p-toluenesulfonate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: triphenylsulfonium p-toluenesulfonate
• 英文别名: 4-methylbenzenesulfonate;triphenylsulfanium
• 化学式: C₇H₇O₃S*C₁₈H₁₅S
• 分子量: 434.58
• InChiKey: YXZXRYDYTRYFAF-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.68
• 重原子数：
  30
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.04
• 拓扑面积：
  66.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  triphenylsulfonium propionate 、 对甲苯磺酸甲酯 以 乙腈 为溶剂， 以85%的产率得到triphenylsulfonium p-toluenesulfonate
  参考文献：
  名称：

  Process for producing onium salt derivative and novel onium salt derivative

  摘要：

  该发明提供了一种高产率的方法，用于生产盐衍生物，这些盐衍生物可用作在化学增强型光刻胶中使用的代理，例如酸发生剂；并提供了新颖的盐衍生物。含有卤根离子或羧酸根离子的盐衍生物与磺酸酯衍生物或磷酸衍生物的反应在高产率下提供盐硫酸盐衍生物或盐磷酸盐衍生物。

  公开号：

  US06620957B1

文献信息

• ANTIREFLECTIVE COMPOSITIONS WITH THERMAL ACID GENERATORS
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.

  公开号：US20190085173A1

  公开（公告）日：2019-03-21

  New methods and substrates are provided that include antireflective compositions that comprise one or more thermal acid generators.

  提供了包括一个或多个热酸发生剂的防反射组分的新方法和基板。
• MONOMERS, POLYMERS AND PHOTORESIST COMPOSITIONS
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd.

  公开号：US20180059545A1

  公开（公告）日：2018-03-01

  In one preferred embodiment, polymers are provided that comprise a structure of the following Formula (I): Photoresists that comprises such polymers also are provided.

  在一个首选实施例中，提供了包含以下化学式（I）结构的聚合物： 还提供了包含这种聚合物的光刻胶。
• RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, POLYPHENOLIC COMPOUND FOR USE IN THE COMPOSITION, AND ALCOHOLIC COMPOUND THAT CAN BE DERIVED THEREFROM
  申请人：Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.

  公开号：US20160145231A1

  公开（公告）日：2016-05-26

  A resist composition containing a compound represented by the general formula (1) or (2), a method for forming a resist pattern using the composition, a polyphenolic compound for use in the composition, and an alcoholic compound that can be derived therefrom are described.

  描述了一种包含由通式（1）或（2）表示的化合物的光刻胶组合物，使用该组合物形成光刻胶图案的方法，用于该组合物的多酚化合物，以及可以由其衍生的醇化合物。
• Novel sulfonyldiazomethanes, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：——

  公开号：US20040167322A1

  公开（公告）日：2004-08-26

  A chemical amplification type resist composition comprising a specific benzenesulfonyldiazomethane containing a long-chain alkoxyl group at the 2-position on benzene ring has many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris left after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development and is thus suited for microfabrication.

  一种化学放大型抗蚀组合物，包括在苯环上的2-位含有长链烷氧基基团的特定苯磺酰二氮甲烷，具有许多优点，包括提高分辨率，改善焦点宽度，即使在长期PED上也减少线宽变化或形状退化，涂层、显影和剥离后减少残留物，并在显影后改善图案轮廓，因此适用于微加工。
• COATING COMPOSITIONS SUITABLE FOR USE WITH AN OVERCOATED PHOTORESIST
  申请人：Amara John P.

  公开号：US20110003250A1

  公开（公告）日：2011-01-06

  In one aspect, organic coating compositions, particularly antireflective coating compositions, are provided that comprise that comprise a diene/dienophile reaction product. In another aspect, organic coating compositions, particularly antireflective coating compositions, are provided that comprise a component comprising a hydroxyl-naphthoic group, such as a 6-hydroxy-2-naphthoic group Preferred compositions of the invention are useful to reduce reflection of exposing radiation from a substrate back into an overcoated photoresist layer and/or function as a planarizing, conformal or via-fill layer.

  在一个方面，提供了有机涂层组合物，特别是抗反射涂层组合物，其包括二烯/二烯亲双反应产物。在另一个方面，提供了有机涂层组合物，特别是抗反射涂层组合物，其包括一个含有羟基-萘甲基团的组分，例如6-羟基-2-萘甲基团。本发明的优选组合物可用于减少曝光辐射从基板反射回覆盖的光刻胶层，并/或作为平坦化、整平或填孔层。