硒化锡(SnSe和SnSe 2)纳米结构是通过一锅法合成的,该反应涉及二有机锡双(5-甲基-2-吡啶基硒酸酯),[R 2 Sn {SeC 5 H 3(Me-5)N} 2 ](R = t Bu(1),Et(2)或Me(3))在高沸点配位溶剂中。后者已通过用5-甲基-2-吡啶基硒醇钠处理R 2 SnCl 2来分离。它们通过元素分析,NMR(1 H,13 C,77 Se,119Sn)光谱学和单晶X射线衍射分析。[ t Bu 2 Sn {SeC 5 H 3(Me-5)N} 2的热解证明了硒化锡纳米结构的相和组成可调性。]通过高沸点溶剂的适当选择。用pXRD,SEM,TEM和EDS研究了纳米结构的相纯度,形貌和组成。由DRS推导得出的纳米结构的带隙在1.75–2.1 eV(直接)和1.36–1.49 eV(间接)之间。纳米结构的带隙值相对于块状材料发生蓝移,表明量子限制。纳米结构显示出光响应,这使