2,6-bis(trimethyltin)-4,8-dimethoxybenzo[1,2-b:3,4-b']dithiophene

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并噻吩类
• 英文名称: 2,6-bis(trimethyltin)-4,8-dimethoxybenzo[1,2-b:3,4-b']dithiophene
• 英文别名: 2,6-bis(trimethyltin)-4,8-dimethoxybenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene；2,6-bis(trimethyltin)-4,8-bis(methoxy)benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene；(4,8-Dimethoxy-2-trimethylstannylthieno[2,3-f][1]benzothiol-6-yl)-trimethylstannane；(4,8-dimethoxy-2-trimethylstannylthieno[2,3-f][1]benzothiol-6-yl)-trimethylstannane
• 化学式: C₁₈H₂₆O₂S₂Sn₂
• 分子量: 575.955
• InChiKey: SBTWONSGNNNPOS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.22
• 重原子数：
  24
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.44
• 拓扑面积：
  74.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,6-bis(trimethyltin)-4,8-dimethoxybenzo[1,2-b:3,4-b']dithiophene 、 2-(5-bromothiophen-2-yl)-1,3-bis((tert-butyldimethylsilyl)oxy)-4,4,5,5-tetramethylimidazolidine 在 四(三苯基膦)钯 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 、 甲苯 为溶剂， 反应 24.0h， 以79%的产率得到[2-[5-[2-[5-[1,3-Bis[[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy]-4,4,5,5-tetramethylimidazolidin-2-yl]thiophen-2-yl]-4,8-dimethoxythieno[2,3-f][1]benzothiol-6-yl]thiophen-2-yl]-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-4,4,5,5-tetramethylimidazolidin-1-yl]oxy-tert-butyl-dimethylsilane
  参考文献：
  名称：

  硝基和亚硝基氮氧化物修饰的平面苯并[1,2- b：4,5- b' ]二噻吩衍生物

  摘要：

  苯并[1,2- b：4,5- b ']二噻吩（BDT）和BDT的四个弱反铁相互作用双自由基与两个噻吩（BDTTh 2）相连，并与硝酰基和亚氨基一氧化氮（NN和IN）连接为BDT-NN，BDT–IN，BDTTh 2 –NN和BDTTh 2 –IN被设计，合成和表征。对于BDT-NN，发现分子间的π-π距离较短（3.42Å），而对于BDT-IN（3.54Å）和BDTTh 2 -NN（3.67Å）则发现较大的间距。分子内磁相互作用（JBDT-NN（-26 K）的intra，exp / k B）比BDT-IN（-5.3 K）大得多，而二噻吩扩展分子BDTTh 2 -NN（-2.3 K）降低。BDT-NN（-6.5 K）和BDT-IN（-6.0 K）的分子间相互作用（zJ inter，exp / k B）比BDTTh 2 -NN（ -4.6 K）强。良好的π堆积标记BDT-IN和BDTTh 2 -N

  DOI：

  10.1021/acs.joc.8b02499
• 作为产物：
  描述：

  三甲基氯化锡 、 4,8-Dimethoxybenzo<1,2-b:4,5-b'>dithiophene 在 正丁基锂 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 1.0h， 以80%的产率得到2,6-bis(trimethyltin)-4,8-dimethoxybenzo[1,2-b:3,4-b']dithiophene
  参考文献：
  名称：

  硝基和亚硝基氮氧化物修饰的平面苯并[1,2- b：4,5- b' ]二噻吩衍生物

  摘要：

  苯并[1,2- b：4,5- b ']二噻吩（BDT）和BDT的四个弱反铁相互作用双自由基与两个噻吩（BDTTh 2）相连，并与硝酰基和亚氨基一氧化氮（NN和IN）连接为BDT-NN，BDT–IN，BDTTh 2 –NN和BDTTh 2 –IN被设计，合成和表征。对于BDT-NN，发现分子间的π-π距离较短（3.42Å），而对于BDT-IN（3.54Å）和BDTTh 2 -NN（3.67Å）则发现较大的间距。分子内磁相互作用（JBDT-NN（-26 K）的intra，exp / k B）比BDT-IN（-5.3 K）大得多，而二噻吩扩展分子BDTTh 2 -NN（-2.3 K）降低。BDT-NN（-6.5 K）和BDT-IN（-6.0 K）的分子间相互作用（zJ inter，exp / k B）比BDTTh 2 -NN（ -4.6 K）强。良好的π堆积标记BDT-IN和BDTTh 2 -N

  DOI：

  10.1021/acs.joc.8b02499

文献信息

• Highly sensitive thin film phototransistors based on a copolymer of benzodithiophene and diketopyrrolopyrrole
  作者：Lanchao Ma、Zhengran Yi、Shuai Wang、Yunqi Liu、Xiaowei Zhan

  DOI：10.1039/c4tc02462a

  日期：——

  Thin film phototransistors based on a D–A copolymer of P(DPP4T-co-BDT) exhibited a photoresponsivity of up to 4.0 × 10³ A W⁻¹ and a photocurrent/dark-current ratio of 6.8 × 10⁵ under white light irradiation with a low light intensity (9.7 μW cm⁻²).

  基于P（DPP4T-co-BDT）的D-A共聚物的薄膜光晶体管，在低光强（9.7μW cm-2）的白光照射下，表现出高达4.0×10³ A W-1的光响应度和6.8×10^5的光电流/暗电流比。