dimethylphenylsulfonium sulfate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: dimethylphenylsulfonium sulfate
• 化学式: 2C₈H₁₁S*O₄S
• 分子量: 374.546
• InChiKey: PPULPJBHJWZWAG-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.59
• 重原子数：
  14.0
• 可旋转键数：
  1.0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  80.26
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  4.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  茴香硫醚 在 硫酸二甲酯 作用下， 以 乙醚 、 水 为溶剂， 生成 dimethylphenylsulfonium sulfate
  参考文献：
  名称：

  SULFONIUM SALT, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, PHOTOMASK BLANK, AND PATTERNING PROCESS

  摘要：

  一种硫铵盐的化学式为（1），其中R1是一种一价碳氢基团，但不包括乙烯基和异丙烯基，R2、R3和R4是烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或者它们可以相互连接形成与硫原子的环，并且n为1至3。包含该硫铵盐的化学增感抗剂组合物能够由于高分辨率、改善的焦距宽度、以及在长时间PED后最小化线宽变化和剖面降解而形成良好剖面的精细特征图案。

  公开号：

  US20100143830A1

文献信息

• 신규 술폰산염 및 그의 유도체, 광산발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤(519980708960)

  公开号：KR101532103B1

  公开（公告）日：2015-06-26

  본 발명은 레지스트 용제 및 수지에 대한 용해성(상용성)이 충분히 높고, 보존 안정성이 양호하고, PED 안정성이 있으며, 촛점 심도가 보다 넓고, 감도가 양호하고, 특히 해상성과 패턴 프로파일 형상이 우수한 화학 증폭형 레지스트 재료를 제공하는 화학 증폭형 레지스트 재료용으로서 효과적인 신규 술폰산염과 광산발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료, 포토마스크 블랭크 및 패턴 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 하기 화학식 2로 표시되는 술폰산염을 제공한다. <화학식 2> (식 중, R1은 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 탄소수 1 내지 50의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 1가 탄화수소기를 나타내고, M+는 양이온을 나타낸다.)

  本发明提供了对化学放大抗蚀剂材料有效的新型磺酸盐和光发生剂，它们在抗蚀剂溶剂和树脂中具有足够高的溶解度（相容性）、良好的保存稳定性、PED稳定性、更宽的焦深、良好的灵敏度，特别是良好的分辨率和图案轮廓形状，以及使用它们形成抗蚀剂材料、光掩膜坯料和图案的方法。本发明提供了由下式 2 表示的磺酸盐。<方案2>（式中，R1代表碳数为1至50的直链、支链或环状单价烃基，其中可包括一个杂原子，M+代表阳离子）。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090274978A1

  公开（公告）日：2009-11-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1b) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1a) R 1 —O—COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1b) R 1 is a monovalent C 20 -C 50 hydrocarbon group of steroid structure which may contain a heteroatom. The bulky steroid structure ensures adequate control of acid diffusion. The photoacid generators are compatible with resins and suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1b）的磺酸。R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a)R1—O—COOCH2CF2SO3−H+(1b)R1是一种单价的C20-C50类固醇结构的烃基，可能含有杂原子。庞大的类固醇结构确保了对酸扩散的充分控制。光酸发生剂与树脂相容，并适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• SULFONIUM SALT, ACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, PHOTOMASK BLANK, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100143830A1

  公开（公告）日：2010-06-10

  A sulfonium salt has formula (1) wherein R 1 is a monovalent hydrocarbon group except vinyl and isopropenyl, R 2 , R 3 , and R 4 are alkyl, alkenyl, oxoalkyl, aryl, aralkyl or aryloxoalkyl or may bond together to form a ring with the sulfur atom, and n is 1 to 3. A chemically amplified resist composition comprising the sulfonium salt is capable of forming a fine feature pattern of good profile after development due to high resolution, improved focal latitude, and minimized line width variation and profile degradation upon prolonged PED.

  一种硫铵盐的化学式为（1），其中R1是一种一价碳氢基团，但不包括乙烯基和异丙烯基，R2、R3和R4是烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或者它们可以相互连接形成与硫原子的环，并且n为1至3。包含该硫铵盐的化学增感抗剂组合物能够由于高分辨率、改善的焦距宽度、以及在长时间PED后最小化线宽变化和剖面降解而形成良好剖面的精细特征图案。
• Novel fluorohydroxyalkyl sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP1780199B1

  公开（公告）日：2012-02-01
• Sulfonium salt-containing polymer, resist composition, and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：EP2112554B1

  公开（公告）日：2012-06-06