Die Erfindung betrifft neue halbleitende Schichten enthaltend lineare organische Thiophen-Phenylen-Oitgomere der allgemeinen Formel (I)
wobei die Verbindungen gemäß Formel (I) unter Verwendung von Thiophen-Pinakoilnboronsäureestern hergestellt werden.
本发明涉及含有通式(I)的线性有机
噻吩-苯基邻构体的新型半导体层
其中,根据式(I)的化合物是用
噻吩-
联苯硼酸酯制备的。