异丙基三苯基锡 | 1446-45-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 异丙基三苯基锡
• 英文名称: isopropyltriphenyl tin
• 英文别名: Isopropyltriphenylstannane；triphenyl(propan-2-yl)stannane
• CAS: 1446-45-3
• 化学式: C₂₁H₂₂Sn
• 分子量: 393.116
• InChiKey: BNQJBSRILJIDSX-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  84 °C
• 沸点：
  219-220 °C(Press: 4 Torr)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.57
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.14
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  异丙基三苯基锡 在 bromine 作用下， 以91%的产率得到isopropyltin tribromide
  参考文献：
  名称：

  Brown, Paul; Mahon, Mary F.; Molloy, Kieran C., Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  三苯基碘锡 、 异丙基溴化镁 以 乙醚 为溶剂， 以100%的产率得到异丙基三苯基锡
  参考文献：
  名称：

  Quan, M. Le; Normant, M. H., Comptes Rendus des Seances de l'Academie des Sciences, Serie C: Sciences Chimiques, 1968, vol. 266, p. 832 - 833

  摘要：

  DOI：

文献信息

• SEMICONDUCTOR RESIST COMPOSITION, AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION
  申请人：Samsung SDI Co., Ltd.

  公开号：US20200117085A1

  公开（公告）日：2020-04-16

  This disclosure relates to a semiconductor resist composition including an organometallic compound represented by Chemical Formula 1 and a solvent, and to a method of forming patterns using the composition: wherein, in Chemical Formula 1, R 1 is an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or an -alkylene-O-alkyl group, and R 2 to R 4 are each independently selected from —OR a and —OC(═O)R b .

  这份披露涉及一种包括化学式1所代表的有机金属化合物和溶剂的半导体抗蚀组合物，以及使用该组合物形成图案的方法：在化学式1中，R1是脂肪烃基、芳香烃基或-烷基-氧-烷基，R2到R4分别独立地选自—ORa和—OC(═O)Rb。
• SEMICONDUCTOR PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION
  申请人：Samsung SDI Co., Ltd.

  公开号：US20210356861A1

  公开（公告）日：2021-11-18

  A semiconductor photoresist composition includes an organometallic compound represented by Chemical Formula 1, an organic acid having a vapor pressure of less than or equal to about 1.0 mmHg at 25° C., and a pKa of about 3 to about 5, and a solvent. A method of forming photoresist patterns utilizes the composition.

  一种半导体光阻组合物包括由化学式1表示的有机金属化合物，具有在25°C时小于或等于约1.0 mmHg的蒸汽压和约3到约5的pKa的有机酸，以及溶剂。利用该组合物形成光阻图案的方法。
• SEMICONDUCTOR PHOTORESIST COMPOSITION, AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION
  申请人：Samsung SDI Co., Ltd.

  公开号：US20210109442A1

  公开（公告）日：2021-04-15

  Disclosed are a semiconductor photoresist composition including an organometallic compound including at least one selected from compounds represented by Chemical Formulae 1 to 3 and a solvent, and a method of forming patterns using the semiconductor photoresist composition on an etching-objective layer to form a photoresist layer, patterning the photoresist layer to form a photoresist pattern, and etching the etching-objective layer using the photoresist pattern as an etching mask.

  公开了一种半导体光阻组合物，包括包含至少一种来自化学式1至3所代表化合物的有机金属化合物和溶剂，以及使用该半导体光阻组合物在蚀刻目标层上形成光阻层，将光阻层进行图案形成以形成光阻图案，并使用光阻图案作为蚀刻掩模蚀刻蚀刻目标层的方法。
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Sn: Org.Verb.2, 1.1.2.15.1, page 353 - 359
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Quan, M. Le, Comptes Rendus des Seances de l'Academie des Sciences, Serie C: Sciences Chimiques, 1968, vol. 266, p. 832 - 833
  作者：Quan, M. Le

  DOI：——

  日期：——