1-(二甲氨基)戊烷-2-醇 | 5464-13-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 中文名称: 1-(二甲氨基)戊烷-2-醇
• 英文名称: dimethyl-(2-hydroxy-pentyl)-amine
• 英文别名: 1-(Dimethylamino)pentan-2-ol
• CAS: 5464-13-1
• 化学式: C₇H₁₇NO
• 分子量: 131.218
• InChiKey: MZLDACGYLPYWMZ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.9
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  23.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-(二甲氨基)戊烷-2-醇 、 碘甲烷 在 乙醚 作用下， 生成 (2-hydroxy-pentyl)-trimethyl-ammonium; iodide
  参考文献：
  名称：

  Major; Bonnett, Journal of the American Chemical Society, 1936, vol. 58, p. 23

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  丙基环氧乙烷 、 二甲胺 在 水 作用下， 生成 1-(二甲氨基)戊烷-2-醇
  参考文献：
  名称：

  Walti, Journal of the American Chemical Society, 1934, vol. 56, p. 2725

  摘要：

  DOI：

文献信息

• [EN] 4,6-SUBSTITUTED-PYRAZOLO[1,5-a]PYRAZINES AS JANUS KINASE INHIBITORS<br/>[FR] PYRAZOLO[1,5-A] PYRAZINES SUBSTITUÉES EN 4,6 EN TANT QU'INHIBITEURS DE LA JANUS KINASE
  申请人：ARRAY BIOPHARMA INC

  公开号：WO2016090285A1

  公开（公告）日：2016-06-09

  Compounds of Formula I: and stereoisomers and pharmaceutically acceptable salts and solvates thereof in which R1, R2, R3 and R4 have the meanings given in the specification, are inhibitors of one or more JAK kinases and are useful in the treatment of JAK kinase-associated diseases and disorders, such as autoimmune diseases, inflammatory diseases, rejection of transplanted organs, tissues and cells, as well as hematologic disorders and malignancies and their co-morbidities.

  公式I的化合物及其立体异构体和药学上可接受的盐和溶剂化合物，在其中R1、R2、R3和R4具有规范中给定的含义，是一种或多种JAK激酶的抑制剂，并且在治疗JAK激酶相关疾病和疾病方面非常有用，如自身免疫疾病、炎症性疾病、移植器官、组织和细胞的排斥反应，以及血液学疾病和恶性肿瘤及其并发症。
• METAL ALKOXIDE COMPOUND, THIN-FILM-FORMING MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THIN FILM, AND ALCOHOL COMPOUND
  申请人：ADEKA CORPORATION

  公开号：US20150175642A1

  公开（公告）日：2015-06-25

  Disclosed is a metal alkoxide compound having physical properties suitable for a material for forming thin films by CVD, and particularly, a metal alkoxide compound having physical properties suitable for a material for forming metallic-copper thin films. A metal alkoxide compound is represented by general formula (I). A thin-film-forming material including the metal alkoxide compound is described as well. (In the formula, R 1 represents a methyl group or an ethyl group, R 2 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 3 represents a C 1-3 linear or branched alkyl group, M represents a metal atom or a silicon atom, and n represents the valence of the metal atom or silicon atom.

  揭示了一种具有适合用于CVD形成薄膜材料的物理性质的金属烷氧化物化合物，特别是一种具有适合用于形成金属铜薄膜材料的金属烷氧化物化合物。金属烷氧化物化合物由通式（I）表示。还描述了包括金属烷氧化物化合物的薄膜形成材料。（在公式中，R1代表甲基基团或乙基基团，R2代表氢原子或甲基基团，R3代表C1-3直链或支链烷基基团，M代表金属原子或硅原子，n代表金属原子或硅原子的价。
• THIN-FILM FORMING RAW MATERIAL FOR USE IN ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD, THIN-FILM FORMING RAW MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THIN-FILM, AND COMPOUND
  申请人：ADEKA CORPORATION

  公开号：US20210340162A1

  公开（公告）日：2021-11-04

  The present invention provides a thin-film forming raw material, which is used in an atomic layer deposition method, including a compound represented by the following general formula (1): where R 1 to R 4 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and A 1 represents an alkanediyl group having 1 to 5 carbon atoms.

  本发明提供了一种薄膜形成原料，用于原子层沉积方法，包括由以下一般式（1）表示的化合物：其中R1至R4分别独立表示具有1至5个碳原子的烷基基团，A1表示具有1至5个碳原子的烷二基基团。
• RAW MATERIAL FOR FORMING THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
  申请人：ADEKA CORPORATION

  公开号：US20210155638A1

  公开（公告）日：2021-05-27

  Provided is a thin-film forming raw material, which is used in an atomic layer deposition method, including a magnesium compound represented by the following general formula (1): where R 1 represents an isopropyl group, a sec-butyl group, or a tert-butyl group. A thin-film containing a magnesium atom is produced on a surface of a substrate with high productivity through use of the raw material.

  提供了一种用于原子层沉积方法的薄膜形成原料，包括由以下一般式（1）表示的镁化合物： 其中，R1代表异丙基基团、仲丁基团或叔丁基团。通过使用该原料，在基板表面上高效地生产含有镁原子的薄膜。
• METAL ALKOXIDE COMPOUND, THIN FILM FORMING RAW MATERIAL, AND THIN FILM PRODUCTION METHOD
  申请人：ADEKA CORPORATION

  公开号：US20200140463A1

  公开（公告）日：2020-05-07

  The present invention provides a metal alkoxide compound represented by the following general formula (1), a thin-film-forming raw material containing the same, and a thin film production method of forming a metal-containing thin film using the raw material:

  本发明提供一种由以下通式（1）表示的金属烷氧基化合物，包含该化合物的薄膜形成原料，以及使用该原料形成含金属薄膜的薄膜制备方法：