(Trimethylsilyl)thioessigsaeure-O-methylester | 62785-57-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 硫代羧酸及其衍生物
• 英文名称: (Trimethylsilyl)thioessigsaeure-O-methylester
• 英文别名: O-Methyl (trimethylsilyl)ethanethioate；O-methyl 2-trimethylsilylethanethioate
• CAS: 62785-57-3
• 化学式: C₆H₁₄OSSi
• 分子量: 162.328
• InChiKey: FCVARGCRETXELN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.3
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.83
• 拓扑面积：
  41.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  正辛醛 、 (Trimethylsilyl)thioessigsaeure-O-methylester 在 正丁基锂 、 二异丙胺 作用下， 生成 (E)-2-Decenthiosaeure-O-methylester
  参考文献：
  名称：

  Hartke, Klaus; Kunze, Olaf, Liebigs Annalen der Chemie, 1989, p. 321 - 330

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  LiSCCSiMe3 生成 (Trimethylsilyl)thioessigsaeure-O-methylester
  参考文献：
  名称：

  烷基苯基乙炔的单金属化速率

  摘要：

  Alkylphenylacetylenes，C 6 H ^ 5 CCCH 2 R，已经被用在二乙醚中的过量的正丁基锂的炔位置金属化在0℃。通过在不同时间用Me 3 SiCl淬灭金属化混合物可以分离出单甲硅烷基和二甲硅烷基衍生物。已经从甲硅烷基化产物的形成速率计算了单金属化的伪一级反应速率常数。塔夫脱相关性给出ρ *＝ 1.8。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)84192-3

文献信息

• Efficient Method for the Preparation of Vinylthio- and Vinylselenosilanes
  作者：Ramesh S. Sukhai、Lambertus Brandsma

  DOI：10.1055/s-1979-28717

  日期：——
• HARTKE, KLAUS;KUNZE, OLAF, LIEBIGS ANN. CHEM.,(1989) N, C. 321-330
  作者：HARTKE, KLAUS、KUNZE, OLAF

  DOI：——

  日期：——
• Hartke, Klaus; Kunze, Olaf, Liebigs Annalen der Chemie, 1989, p. 321 - 330
  作者：Hartke, Klaus、Kunze, Olaf

  DOI：——

  日期：——
• The rates of monometallation of alkylphenylacetylenes
  作者：James Y. Becker

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)84192-3

  日期：1977.2

  Alkylphenylacetylenes, C6H5CCCH2R, have been metallated at the propargylic positions with an excess of n-butyllithium in diethyl ether at 0°C. Mono- and di-silyl derivatives have been isolated by quenching the metallation mixtures with Me3SiCl at different times. Pseudo-first order rate constants have been calculated for the monometallation from the rate of formation of the silylated products. A Taft

  Alkylphenylacetylenes，C 6 H ^ 5 CCCH 2 R，已经被用在二乙醚中的过量的正丁基锂的炔位置金属化在0℃。通过在不同时间用Me 3 SiCl淬灭金属化混合物可以分离出单甲硅烷基和二甲硅烷基衍生物。已经从甲硅烷基化产物的形成速率计算了单金属化的伪一级反应速率常数。塔夫脱相关性给出ρ *＝ 1.8。