2-diphenylphosphanyl-acetamide | 35948-16-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 2-diphenylphosphanyl-acetamide
• 英文别名: 2-(Diphenylphosphanyl)acetamide；2-diphenylphosphanylacetamide
• CAS: 35948-16-4
• 化学式: C₁₄H₁₄NOP
• 分子量: 243.245
• InChiKey: FECWLBBLFQMGFY-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  412.1±28.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.07
• 拓扑面积：
  43.1
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三苯基膦 在 sodium hydroxide 、 sodium 作用下， 以 乙醇 、 氨 、 水 为溶剂， 反应 3.0h， 生成 2-diphenylphosphanyl-acetamide
  参考文献：
  名称：

  van Doorn, J. A.; Meijboom, N., Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, 1989, vol. 42, p. 211 - 222

  摘要：

  DOI：

文献信息

• [EN] METHOD FOR PREPARING ACETOAMIDE, ACETOTHIOAMIDE AND ACETOSELENOAMIDE DERIVATIVES<br/>[FR] PROCEDE DE PREPARATION DE DERIVES D'ACETOAMIDES, D'ACETOTHIOAMIDES ET D'ACETOSELENOAMIDES
  申请人：——

  公开号：WO1994013683A1

  公开（公告）日：1994-06-23

  [EN] A method for preparing acetoamide derivatives by reacting an acetoamide-derived anion, e.g. of formula (I), wherein Z is O, S or Se and R<1>, R<2>, R<3> and R<4> are hydrogen atoms or optionally substituted hydrocarbon groups, with a phosphine, arsine or stibnite halide, e.g. of formula (II), wherein Y is P, As or Sb. A derivative of formula (a) is thereby obtained and may be used to remove lanthanides and actinides from acidic solutions.
  [FR] L'invention concerne un procédé de préparation de dérivés d'acétoamides, qui comprend la réaction d'un anion dérivé d'acétoamide, répondant par exemple à la formule (I), dans laquelle Z est O, S ou Se et R1, R2, R3 et R4 sont des atomes d'hydrogène ou des groupes hydrocarbonés, éventuellement substitués, avec un halogénure de phosphine, d'arsine ou de stibine, par exemple un halogénure de formule (II), où Y est P, As ou Sb. On obtient ainsi un dérivé de formule (a) qui peut être utilisé pour l'extraction des lanthanides et des actinides à partir de solutions acides.
• van Doorn, J. A.; Meijboom, N., Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, 1989, vol. 42, p. 211 - 222
  作者：van Doorn, J. A.、Meijboom, N.

  DOI：——

  日期：——