dimethylphenylsulfonium hydrogen sulfate | 911683-53-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: dimethylphenylsulfonium hydrogen sulfate
• 英文别名: Dimethylphenylsulfonium hydrogen sulfate；dimethyl(phenyl)sulfanium;hydrogen sulfate
• CAS: 911683-53-9
• 化学式: C₈H₁₁S*H*O₄S
• 分子量: 236.313
• InChiKey: PPULPJBHJWZWAG-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.7
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  89.6
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  茴香硫醚 在 硫酸二甲酯 作用下， 以 乙醚 、 水 为溶剂， 生成 dimethylphenylsulfonium hydrogen sulfate
  参考文献：
  名称：

  POLYMERIZABLE ANION-CONTAINING SULFONIUM SALT AND POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS

  摘要：

  提供具有式（1）的可聚合含阴离子的亚砜盐，其中R1为H、F、甲基或三氟甲基，R2、R3和R4为C1-C10烷基、烯基或氧代烷基或C6-C18芳基、芳基烷基或芳氧代烷基，或R2、R3和R4中的两个可以结合在一起形成与S的环，A为C1-C10有机基团，n为0或1。该亚砜盐在暴露于高能辐射时生成非常强的磺酸。还提供了包含从该亚砜盐衍生的聚合物的抗蚀组合物。

  公开号：

  US20100055608A1

文献信息

• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20090246694A1

  公开（公告）日：2009-10-01

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula ( 1 a) upon exposure to high-energy radiation. ROC(═O)R 1 —COOCH 2 CF 2 SO 3 − H + (1a) RO is OH or C 1 -C 20 organoxy, R 1 is a divalent C 1 -C 20 aliphatic group or forms a cyclic structure with RO. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。 ROC(═O)R1—COOCH2CF2SO3−H+(1a) RO为OH或C1-C20有机氧基，R1为二价的C1-C20脂肪族基团或与RO形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• NOVEL PHOTOACID GENERATOR, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20090061358A1

  公开（公告）日：2009-03-05

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) or (1c) upon exposure to high-energy radiation. R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 + H + (1a) R 1 —O—COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1c) R 1 is a C 20 -C 50 hydrocarbon group having a steroid structure. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）或（1c）的磺酸。R1—COOCH(CF3)CF2SO3+H+(1a)R1—O—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1c)R1是具有类固醇结构的C20-C50烃基。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物的使用。
• Novel photoacid generators, resist compositions, and patterning process
  申请人：Ohsawa Youichi

  公开号：US20080085469A1

  公开（公告）日：2008-04-10

  Photoacid generators generate sulfonic acids of formula (1a) upon exposure to high-energy radiation. RC(═O)R 1 —COOCH(CF 3 )CF 2 SO 3 − H + (1a) R is hydroxyl, alkyl, aryl, hetero-aryl, alkoxy, aryloxy or hetero-aryloxy, R 1 is a divalent organic group which may have a heteroatom (O, N or S) containing substituent, or R 1 may form a cyclic structure with R. The photoacid generators are compatible with resins and can control acid diffusion and are thus suited for use in chemically amplified resist compositions.

  光酸发生剂在高能辐射作用下生成式（1a）的磺酸。RC(═O)R1—COOCH(CF3)CF2SO3−H+(1a)中，R为羟基、烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、芳氧基或杂芳氧基，R1为可能含有杂原子（O、N或S）取代基的二价有机基团，或R1可与R形成环状结构。这些光酸发生剂与树脂相容，可以控制酸的扩散，因此适用于化学增感抗蚀组合物中的使用。
• Thermal acid generator, resist undercoat material and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US07514202B2

  公开（公告）日：2009-04-07

  A thermal acid generator of generating an acid on heating above 100° C. has formula: CF3CH(OCOR)CF2SO3−(R1)4N+ wherein R is alkyl or aryl, R1 is hydrogen, alkyl, alkenyl, oxoalkyl, aryl, aralkyl or aryloxoalkyl, or R1 may bond together to form a ring with N. The sulfonic acid generated possesses an ester site within molecule so that less bulky acyl groups to bulky groups may be incorporated therein. The thermal acid generator provides a sufficient acid strength, is less volatile due to a high molecular weight, and ensures film formation. Upon disposal of used resist liquid, it may be converted into low accumulative compounds.

  一种热酸发生剂，在加热至100°C以上时生成酸，其化学式为：CF3CH(OCOR)CF2SO3−(R1)4N+，其中R为烷基或芳基，R1为氢、烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳基烷基或芳基氧代烷基，或者R1可能结合在一起形成与N的环。生成的磺酸具有分子内的酯位，因此较小的酰基可以与较大的基团结合在一起。这种热酸发生剂提供足够的酸强度，由于分子量较高，挥发性较低，并确保膜的形成。在处理废弃的抗蚀液时，它可以转化为低积累化合物。
• NOVEL SULFONATE SALTS AND DERIVATIVES, PHOTOACID GENERATORS, RESIST COMPOSITIONS, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：KOBAYASHI Katsuhiro

  公开号：US20070298352A1

  公开（公告）日：2007-12-27

  Sulfonate salts have the formula: HOCH 2 CH 2 CF 2 CF 2 SO 3 − M + wherein M + is a Li, Na, K, ammonium or tetramethylammonium ion. Onium salts, oxime sulfonates and sulfonyloxyimides derived from these salts are effective photoacid generators in chemically amplified resist compositions.

  磺酸盐的化学式为：HOCH2CH2CF2CF2SO3−M+，其中M+是Li、Na、K、铵或四甲基铵离子。从这些盐中衍生的烷基盐、肟磺酸盐和磺酰氧亚胺在化学增强型抗蚀剂组合物中是有效的光酸发生剂。