between molecules in the packing. All three materials showed ΔEST values within 0.3 eV, confirming their potential for MR-TADF characteristics. Especially, mTDBA-2Ge exhibited the lowest ΔEST value of 0.11 eV among the three materials. When these host materials were doped with the conventional dopant ν-DABNA, efficient energy transfer between the two materials was observed, and the resulting device efficiency
我们合成了三种材料,即T
DBA-Ge、mT
DBA-Ge和mT
DBA-2Ge,作为蓝色主体发射器。这些材料将带有
锗原子的
四苯基锗 (
TPG) 基团纳入 5,9-二氧杂-13b-
硼萘并[3,2,1- de ]
蒽 (DOBNA) 的主链中,证明了多重共振诱导的热激活延迟荧光(MR-TADF)。所有三种材料均表现出高热稳定性,
玻璃化转变温度 ( T g ) 超过 100 °C。增加的分子距离也证明了填料中分子之间自猝灭的抑制。所有三种材料的 Δ E ST值均在 0.3 eV 以内,证实了它们具有 MR-TADF 特性的潜力。特别是,mT
DBA-2Ge在三种材料中表现出最低的 Δ E ST值,为 0.11 eV。当这些主体材料掺杂有传统的掺杂剂ν-
DABNA时,观察到两种材料之间的有效能量转移,并证实了所得的器件效率。与不含
TPG 部分且仅包含苯基的T
DBA-Ph相比,观察到外部量子效率最大值