2-[2-(苯基磺酰)乙基硫代]烟酸 | 175203-21-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吡啶及其衍生物
• 中文名称: 2-[2-(苯基磺酰)乙基硫代]烟酸
• 中文别名: 2-[2-(苯基磺酰基)乙基硫代]烟酸
• 英文名称: 2-(2-(phenylsulfonyl)ethylthio)nicotinic acid
• 英文别名: 2-[2-(Phenylsulfonyl)ethylthio]nicotinic acid；2-[2-(benzenesulfonyl)ethylsulfanyl]pyridine-3-carboxylic acid
• CAS: 175203-21-1
• 化学式: C₁₄H₁₃NO₄S₂
• mdl: MFCD00068041
• 分子量: 323.394
• InChiKey: LYXDTDBDUWKOQF-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  580.5±50.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.46±0.1 g/cm3(Predicted)
• 稳定性/保质期：

  避氧化物

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.2
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.142
• 拓扑面积：
  118
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  6

安全信息

• 危险等级：
  IRRITANT
• 危险品标志：
  Xi
• 安全说明：
  S26,S36
• 危险类别码：
  R36/37/38
• 海关编码：
  2933399090
• 储存条件：
  保存方法：密闭、阴凉、通风干燥处。

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-[2-(苯基磺酰)乙基硫代]烟酸 、 N-甲基苄胺 在 N,N'-羰基二咪唑 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 17.0h， 以46%的产率得到N-benzyl-N-methyl-2-(2-(phenylsulfonyl)ethylthio)-nicotinamide
  参考文献：
  名称：

  SUBSTITUTED NICOTINAMIDE COMPOUNDS AND USES THEREOF

  摘要：

  替代烟酰胺化合物对应于公式I的制备方法，含有这些化合物的药物组合物，以及将其用于治疗或抑制疼痛、癫痫、偏头痛、焦虑状态或尿失禁等疾病的用途。

  公开号：

  US20090076086A1

文献信息

• Substituted nicotinamide compounds and uses thereof
  申请人：Gruenenthal GmbH

  公开号：US08084470B2

  公开（公告）日：2011-12-27

  Substituted nicotinamide compounds corresponding to formula I a process for their preparation, pharmaceutical compositions containing these compounds, and the use thereof for the treatment or inhibition conditions such as pain, epilepsy, migraine, anxiety states, or urinary incontinence.

  本发明涉及与式Ia相对应的替代烟酰胺化合物及其制备方法，含有这些化合物的药物组合物，以及将其用于治疗或抑制疼痛、癫痫、偏头痛、焦虑状态或尿失禁等症状的用途。
• SALTS OF PAROXETINE
  申请人：SMITHKLINE BEECHAM PLC

  公开号：EP1091958A1

  公开（公告）日：2001-04-18
• SUBSTITUIERTE NICOTINAMID-VERBINDUNGEN UND DEREN VERWENDUNG IN ARZNEIMITTELN
  申请人：Grünenthal GmbH

  公开号：EP2188258A1

  公开（公告）日：2010-05-26
• RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING THE SAME
  申请人：NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.

  公开号：US20170045820A1

  公开（公告）日：2017-02-16

  A composition for forming a resist underlayer film which make possible to form a desired high-adhesion resist pattern. A resist underlayer film-forming composition for lithography containing a polymer having the following structure Formula (1) or (2) at a terminal of a polymer chain, crosslinker, compound promoting crosslinking reaction, and organic solvent. (wherein R 1 is a C 1-6 alkyl group optionally having a substituent, phenyl group, pyridyl group, halogeno group, or hydroxy group, R 2 is a hydrogen atom, a C 1-6 alkyl group, hydroxy group, halogeno group, or ester group of —C(═O)O—X wherein X is a C 1-6 alkyl group optionally having a substituent, R 3 is a hydrogen atom, a C 1-6 alkyl group, hydroxy group, or halogeno group, R 4 is a direct bond or divalent C 1-8 organic group, R 5 is a divalent C 1-8 organic group, A is an aromatic ring or heteroaromatic ring, t is 0 or 1, and u is 1 or 2.)
• US8084470B2
  申请人：——

  公开号：US8084470B2

  公开（公告）日：2011-12-27