Effects of heat treatment and sintering additives on thermal conductivity and electrical resistivity in fine-grained SiC ceramics
摘要:
研究了热处理和烧结添加剂对细粒度碳化硅材料热导率和电阻率的影响。采用激光闪光技术和电流电压法分别测量了致密碳化硅材料在室温下的热导率和电阻率。结果表明,SiC 材料的热导率和电阻率取决于烧结添加剂和由此产生的微观结构。含有氧化物添加剂的退火材料形成了由不同 α/β-SiC 聚合物类型的细长晶粒组成的微观结构。相比之下,含有氮氧化物添加剂的退火材料的微观结构则由完全由 β-SiC 相组成的细小等轴晶粒构成。对于含有氧化物添加剂的退火材料,观察到的热导率超过 110 W/mK。对于含有氮氧化物添加剂的退火材料,观测值为 47 W/mK。使用氧化物烧结添加剂的热压材料在退火后电阻率下降。而含有氮氧化物添加剂的退火材料的电阻率则更低。高分辨率电子显微镜显示,沿晶界有一层薄薄的无定形相。能量色散 X 射线光谱分析结果表明,在晶界处存在 Al 原子和 O 原子以及极少量 Y 原子的偏析。结果表明,晶界的化学和结构对碳化硅的热性能和电性能有重大影响。
Gol'dfarb,Ya.L. et al., Journal of Organic Chemistry USSR (English Translation), 1973, vol. 9, p. 2409 - 2415
作者:Gol'dfarb,Ya.L. et al.
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Synthese nouvelle et rapide d'alkylseleno et alkyltelluroarenes au moyen d'ethers-couronnes
作者:André Luxen、Léon Christiaens
DOI:10.1016/s0040-4039(00)87739-4
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LUXEN, A.;CHRISTIAENS, L., TETRAHEDRON LETT., 1982, 23, N 38, 3905-3908
作者:LUXEN, A.、CHRISTIAENS, L.
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Bhasin, K K; Gupta, Vijay; Bari, S S, Indian Journal of Chemistry, Section A: Inorganic, Physical, Theoretical and Analytical, 1991, vol. 30, # 7, p. 635 - 637