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trifluoromethyl(benzyl)tellurium | 142799-33-5

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
trifluoromethyl(benzyl)tellurium
英文别名
trifluoromethyltellanylmethylbenzene
trifluoromethyl(benzyl)tellurium化学式
CAS
142799-33-5
化学式
C8H7F3Te
mdl
——
分子量
287.739
InChiKey
WIZCFELQOXZRHH-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
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  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.41
  • 重原子数:
    12
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.25
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    3

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    Organometallic tellurium compounds useful in chemical vapor deposition
    摘要:
    本发明的新型碲化合物的化学式为:TeR.sup.1 R.sup.2,其中R.sup.1是一种氟化烷基,其化学式为C.sub.n F.sub.(2n+1)-x H.sub.x,其中n可以在1到6之间变化,x可以在0到2n之间变化;而R.sup.2则从以下组中选择:碳数为2到6的烷基、碳数为3到6的环烷基、烯丙基、碳数为4到6的烷基取代烯丙基、环戊二烯基、苄基、α-甲基苄基和双(α-甲基)苄基。这些新型碲试剂可用作有机金属气相沉积过程的来源,特别是II-VI半导体材料(如Hg.sub.x Cd.sub.1-x Te)的MOCVD制造。这些化合物是通过Te(R.sup.1).sub.2和Te(R.sup.2).sub.2之间的高收率配体交换反应合成的。
    公开号:
    US05312983A1
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文献信息

  • Organometallic tellurium compounds useful in chemical vapor deposition
    申请人:Advanced Technology Materials, Inc.
    公开号:US05312983A1
    公开(公告)日:1994-05-17
    Novel tellurium compounds of the present invention have the formula: TeR.sup.1 R.sup.2 wherein R.sup.1 is a fluorinated alkyl having the formula C.sub.n F.sub.(2n+1)-x H.sub.x where n may range from 1 to 6 and x may range from 0 to 2n, and R.sup.2 is selected from the group consisting of alkyls having 2 to 6 carbon atoms, cycloalkyls having 3 to 6 carbon atoms, allyl, alkyl-substituted allyl having 4 to 6 carbon atoms, cyclopentadienyl, benzyl, alpha-methylbenzyl, and bis(alpha-methyl)benzyl. The novel tellurium reagents are useful as sources for organometallic vapor deposition processes, particularly the MOCVD fabrication of II-VI semiconductor materials such as Hg.sub.x Cd.sub.1-x Te. The compounds are synthesized by high yield ligand exchange reactions between Te(R.sup.1).sub.2 and Te(R.sup.2).sub.2.
    本发明的新型碲化合物的化学式为:TeR.sup.1 R.sup.2,其中R.sup.1是一种氟化烷基,其化学式为C.sub.n F.sub.(2n+1)-x H.sub.x,其中n可以在1到6之间变化,x可以在0到2n之间变化;而R.sup.2则从以下组中选择:碳数为2到6的烷基、碳数为3到6的环烷基、烯丙基、碳数为4到6的烷基取代烯丙基、环戊二烯基、苄基、α-甲基苄基和双(α-甲基)苄基。这些新型碲试剂可用作有机金属气相沉积过程的来源,特别是II-VI半导体材料(如Hg.sub.x Cd.sub.1-x Te)的MOCVD制造。这些化合物是通过Te(R.sup.1).sub.2和Te(R.sup.2).sub.2之间的高收率配体交换反应合成的。
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