摘要 抗芳香族化合物已应用于光电器件。本文通过
苊醌与苯
肼或4-
溴苯肼的席夫碱反应合成
苊醌双苯腙(1a)和
苊醌双(4-
溴苯腙)(2a)。通过化合物1a或2a与PbO2的氧化反应,分别合成了两种具有反芳族五元环的双偶氮化合物1,2-双苯基偶氮
苊(1b)和1,2-双(4-
溴苯基偶氮)
苊(2b)。晶体结构表明这些化合物会聚集成 H 聚集结构,这是由反芳香核引起的。基于 1a、2a、1b 和 2b 的晶体结构,计算了与核无关的
化学位移 (NICS) 值。获得的位于分子 1a (3.64)、1b (4.64)、2a (4.42) 和 2b (3.97) 核心的五元环的 NICS (0) 值表明这些核心环将表现出抗芳香性。吉布斯自由能和熵的晶体几何形状和热力学数据表明,由于反芳香核和 H 聚集,双偶氮化合物很容易接受和离域这些晶体中的电子。本文提出了一种设计具有自发电荷转移性质的电子接受材料的方法。吉布