(3E,7E)-3,7-bis(6-bromo-1-(2-decyltetradecyl)-2-oxoindolin-3-ylidene)benzo[1,2-b:4,5-b']difuran-2,6(3H,7H)-dione | 1430843-03-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 苯并呋喃
• 英文名称: (3E,7E)-3,7-bis(6-bromo-1-(2-decyltetradecyl)-2-oxoindolin-3-ylidene)benzo[1,2-b:4,5-b']difuran-2,6(3H,7H)-dione
• 英文别名: (3E,7E)-3,7-bis[6-bromo-1-(2-decyltetradecyl)-2-oxoindol-3-ylidene]furo[2,3-f][1]benzofuran-2,6-dione
• CAS: 1430843-03-0
• 化学式: C₇₄H₁₀₆Br₂N₂O₆
• 分子量: 1279.47
• InChiKey: BRQJRTHCGCEDKE-CFNSWOJGSA-N

物化性质

• 沸点：
  1051.3±65.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.168±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  27.8
• 重原子数：
  84
• 可旋转键数：
  44
• 环数：
  7.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.65
• 拓扑面积：
  93.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2,5-二羟基-1,4-苯二乙酸 在 乙酸酐 、 对甲苯磺酸 、 溶剂黄146 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 28.0h， 生成 (3E,7E)-3,7-bis(6-bromo-1-(2-decyltetradecyl)-2-oxoindolin-3-ylidene)benzo[1,2-b:4,5-b']difuran-2,6(3H,7H)-dione
  参考文献：
  名称：

  A bis(2-oxoindolin-3-ylidene)-benzodifuran-dione containing copolymer for high-mobility ambipolar transistors

  摘要：

  一种基于双(2-氧代吲哚啉-3-亚基)-苯并二呋喃二酮(BIBDF)的低带隙聚合物(PBIBDF-BT)被合成，其中含有一个可溶性烷基链联噻吩单元作为给体。该聚合物具有低lying的LUMO/HOMO能级(-4.03/-5.55 eV)，表现出高效的双极性电荷传输特性。其电子和空穴迁移率分别高达1.08和0.30 cm2 V−1 s−1。

  DOI：

  10.1039/c3cc48695h

文献信息

• MONOMERIC, OLIGOMERIC AND POLYMERIC SEMICONDUCTORS CONTAINING FUSED RINGS AND THEIR DEVICES
  申请人：LI Yuning

  公开号：US20150295179A1

  公开（公告）日：2015-10-15

  The present invention describes the monomeric, oligomeric and polymeric materials comprising a fused-ring moiety, which can be used as organic semiconductors for use in electronic, optical, or optoelectronic devices such as organic thin film transistors and organic photovoltaics.

  本发明描述了包含融合环基团的单体、寡聚体和聚合物材料，可用作有机半导体，用于电子、光学或光电器件，如有机薄膜晶体管和有机光伏器件。
• Novel stable (3E,7E)-3,7-bis(2-oxoindolin-3-ylidene)benzo[1,2-b:4,5-b′]difuran-2,6(3H,7H)-dione based donor–acceptor polymer semiconductors for n-type organic thin film transistors
  作者：Zhuangqing Yan、Bin Sun、Yuning Li

  DOI：10.1039/c3cc40531a

  日期：——

  (3E,7E)-3,7-Bis(2-oxoindolin-3-ylidene)benzo[1,2-b:4,5-b′]difuran-2,6(3H,7H)-dione (IBDF) was used as a new electron-acceptor building block for polymer semiconductors with very low-lying energy levels. A copolymer of IBDF and thiophene showed stable electron transport performance in thin film transistors.

  (3E,7E)-3,7-双(2-氧代吲哚啉-3-亚基)苯并[1,2-b:4,5-b']二呋喃-2,6(3H,7H)-二酮(IBDF)被用作一种新型电子受体构建模块，用于制备能级很低的聚合物半导体。IBDF与噻吩的共聚物在薄膜晶体管中表现出稳定的电子传输性能。
• 縮合環を含有するモノマーの、オリゴマーの、およびポリマーの半導体およびそれらのデバイス
  申请人：リ，ユニンＬＩ， Ｙｕｎｉｎｇ

  公开号：JP2016505516A

  公开（公告）日：2016-02-25

  本発明は、電子の、光学の、または光電子のデバイス（例えば有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜太陽電池等）における使用のための有機半導体として使用され得る、縮合環部分を含むモノマーの、オリゴマーの、およびポリマーの材料を記載する。

  本发明涉及可用作电子、光学或光电子器件（例如有机薄膜晶体管和有机薄膜太阳能电池等）的有机半导体材料，其中包括缩合环部分的单体、寡聚体和聚合物材料的使用。
• [EN] MONOMERIC, OLIGOMERIC AND POLYMERIC SEMICONDUCTORS CONTAINING FUSED RINGS AND THEIR DEVICES<br/>[FR] SEMI-CONDUCTEURS MONOMÈRES, OLIGOMÈRES ET POLYMÈRES CONTENANT DES CYCLES FUSIONNÉS ET LEURS DISPOSITIFS
  申请人：LI YUNING

  公开号：WO2014071524A1

  公开（公告）日：2014-05-15

  The present invention describes monomeric, oligomeric and polymeric materials comprising a fused-ring moiety (I), which can be used as organic semiconductors for use in electronic, optical, or optoelectronic devices such as organic thin film transistors and organic photovoltaics.
• A bis(2-oxoindolin-3-ylidene)-benzodifuran-dione containing copolymer for high-mobility ambipolar transistors
  作者：Guobing Zhang、Peng Li、Longxiang Tang、Jingxuan Ma、Xianghua Wang、Hongbo Lu、Boseok Kang、Kilwon Cho、Longzhen Qiu

  DOI：10.1039/c3cc48695h

  日期：——

  A bis(2-oxoindolin-3-ylidene)-benzodifuran-dione (BIBDF)-based low band gap polymer (PBIBDF-BT), containing a solubilizing alkyl chain bithiophene unit as a donor, has been synthesized. The polymer with a low-lying LUMO/HOMO energy level (−4.03/−5.55 eV) exhibits efficient ambipolar charge transport. The electron and hole mobilities are as high as 1.08 and 0.30 cm2 V−1 s−1, respectively.

  一种基于双(2-氧代吲哚啉-3-亚基)-苯并二呋喃二酮(BIBDF)的低带隙聚合物(PBIBDF-BT)被合成，其中含有一个可溶性烷基链联噻吩单元作为给体。该聚合物具有低lying的LUMO/HOMO能级(-4.03/-5.55 eV)，表现出高效的双极性电荷传输特性。其电子和空穴迁移率分别高达1.08和0.30 cm2 V−1 s−1。