5,5'''-di(4-cyclohexyl-butyl)-[2,2';5',2'';5'',2''']quaterthiophene | 1310572-13-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 5,5'''-di(4-cyclohexyl-butyl)-[2,2';5',2'';5'',2''']quaterthiophene
• 英文别名: 2-(4-Cyclohexylbutyl)-5-[5-[5-[5-(4-cyclohexylbutyl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene；2-(4-cyclohexylbutyl)-5-[5-[5-[5-(4-cyclohexylbutyl)thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophen-2-yl]thiophene
• CAS: 1310572-13-4
• 化学式: C₃₆H₄₆S₄
• 分子量: 607.025
• InChiKey: YDGDAUBGHOHNJY-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  14.7
• 重原子数：
  40
• 可旋转键数：
  13
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.56
• 拓扑面积：
  113
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  (4-溴丁基)-环己烷 在 正丁基锂 、 magnesium 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醚 、 正己烷 为溶剂， 反应 26.0h， 生成 5,5'''-di(4-cyclohexyl-butyl)-[2,2';5',2'';5'',2''']quaterthiophene
  参考文献：
  名称：

  高可靠有机薄膜晶体管的分子半导体设计中的H-聚集策略

  摘要：

  设计了四个新的带有端基的四噻吩衍生物，它们由二环己基乙基（DCE4T），二环己基丁基（DCB4T），环己基乙基（CE4T）和环己基丁基（CB4T）组成。所有材料在普通有机溶剂中均显示出高溶解度。紫外可见吸收测量表明，具有不对称取代的环己基端基（CE4T和CB4T）的四噻吩衍生物更喜欢H型聚集，而具有对称取代的环己基端基（DCE4T和DCB4T）的四噻吩衍生物更喜欢J型聚集。通过掠入射宽角X射线散射（GIWAXS）测量分析了新的四噻吩衍生物的分子结构相关堆积（H或J）。包含不对称分子CE4T和CB4T的设备的场效应迁移率非常高，高于10−2 cm 2 V -1 s -1，由于H聚集，而结合了对称分子DCE4T和DCB4T的器件的场效应迁移率很差，低于10 −4 cm 2 V -1 s -1，由于J聚合。更重要的是，薄膜中的H聚集在旋涂薄膜中提供了稳定的晶体形态，因此，使用环己基化的四噻吩的薄

  DOI：

  10.1002/adfm.201002367

文献信息

• H-Aggregation Strategy in the Design of Molecular Semiconductors for Highly Reliable Organic Thin Film Transistors
  作者：Seul-ong Kim、Tae Kyu An、Jun Chen、Il Kang、So Hee Kang、Dae Sung Chung、Chan Eon Park、Yun-Hi Kim、Soon-Ki Kwon

  DOI：10.1002/adfm.201002367

  日期：2011.5.10

  to J‐aggregation. More importantly, H‐aggregation within the thin film provided stable crystalline morphologies in the spin‐coated films, and, thus, thin film transistors (TFTs) using cyclohexylated quaterthiophenes yielded highly reproducible transistor performances. The distributions of measured field‐effect mobilities in transistors based on cyclohexylated quaterthiophenes with H‐aggregation were

  设计了四个新的带有端基的四噻吩衍生物，它们由二环己基乙基（DCE4T），二环己基丁基（DCB4T），环己基乙基（CE4T）和环己基丁基（CB4T）组成。所有材料在普通有机溶剂中均显示出高溶解度。紫外可见吸收测量表明，具有不对称取代的环己基端基（CE4T和CB4T）的四噻吩衍生物更喜欢H型聚集，而具有对称取代的环己基端基（DCE4T和DCB4T）的四噻吩衍生物更喜欢J型聚集。通过掠入射宽角X射线散射（GIWAXS）测量分析了新的四噻吩衍生物的分子结构相关堆积（H或J）。包含不对称分子CE4T和CB4T的设备的场效应迁移率非常高，高于10−2 cm 2 V -1 s -1，由于H聚集，而结合了对称分子DCE4T和DCB4T的器件的场效应迁移率很差，低于10 −4 cm 2 V -1 s -1，由于J聚合。更重要的是，薄膜中的H聚集在旋涂薄膜中提供了稳定的晶体形态，因此，使用环己基化的四噻吩的薄