摩熵化学
数据库官网
小程序
打开微信扫一扫
首页 分子通 化学资讯 化学百科 反应查询 关于我们
请输入关键词

o-Thioacetoxybenzaldehyde | 119011-44-8

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
o-Thioacetoxybenzaldehyde
英文别名
2-acetylthiobenzaldehyde;S-(2-formylphenyl)ester;o-(Acetylthio)benzaldehyd;S-(2-formylphenyl) ethanethioate
o-Thioacetoxybenzaldehyde化学式
CAS
119011-44-8
化学式
C9H8O2S
mdl
——
分子量
180.227
InChiKey
NXDLNLDHZLRIOO-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    297.3±23.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.22±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.7
  • 重原子数:
    12
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.11
  • 拓扑面积:
    59.4
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    o-Thioacetoxybenzaldehyde四氯化钛 作用下, 以 二氯甲烷 为溶剂, 反应 0.17h, 以82%的产率得到2-硫代水杨醛
    参考文献:
    名称:
    The Selective Deprotection of Thioesters Using Titanium(IV) Chloride/Zinc
    摘要:
    描述了一种在0-25°C下使用TiCl4/Zn去保护硫酯的新方法。该过程化学选择性地裂解硫酯中的S-CO键,在存在其他羰基功能团和其他保护基的情况下,干净地产生硫醇。
    DOI:
    10.1055/s-2001-18769
  • 作为产物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    [EN] INHIBITORS OF GLUCOSE TRANSPORTERS (GLUTS)
    [FR] INHIBITEURS DE TRANSPORTEURS DE GLUCOSE (GLUT)
    摘要:
    本发明涉及2,6-甲烷基苯并[g][1]噁氧嗪-4-酮化合物及其类似物化合物和其药用盐,作为选择性抑制葡萄糖转运蛋白1和3(GLUTs 1和3)的药物,以及制备该类化合物的方法,以及将其用作药用活性剂,特别是用于预防和/或治疗代谢性疾病、免疫性疾病、自身免疫疾病、炎症、移植物抗宿主病、癌症及其转移的方法。此外,本发明还涉及包含至少一种2,6-甲烷基苯并[g][1]噁氧嗪-4-酮化合物及其类似物的药物组合物。
    公开号:
    WO2020049124A1
点击查看最新优质反应信息

文献信息

  • Chromopynones are pseudo natural product glucose uptake inhibitors targeting glucose transporters GLUT-1 and -3
    作者:George Karageorgis、Elena S. Reckzeh、Javier Ceballos、Melanie Schwalfenberg、Sonja Sievers、Claude Ostermann、Axel Pahl、Slava Ziegler、Herbert Waldmann
    DOI:10.1038/s41557-018-0132-6
    日期:2018.11
    on natural product (NP) structure, such as biology-oriented synthesis (BIOS), are limited by their partial coverage of the NP-like chemical space of existing NPs and retainment of bioactivity in the corresponding compound collections. Here we propose and validate a concept to overcome these limitations by de novo combination of NP-derived fragments to structurally unprecedented ‘pseudo natural products’
    指导设计和合成基于天然产物(NP)结构的生物活性化合物的原理,例如面向生物学的合成(BIOS),受到它们对现有NP的类似NP的化学空间的部分覆盖和生物活性的保留的限制。相应的化合物集合。在这里,我们提出并验证了一个概念,即通过将NP衍生片段从头合成为结构上空前的“伪天然产物”来克服这些限制。伪NP继承了NP结构的特征元素,但仍然能够有效探索NP衍生的化学型未涵盖的化学空间区域,并且可能具有新颖的生物活性。我们通过设计,合成并研究结合了生物合成无关的苯并吡喃酮和四氢嘧啶酮NP片段的色炔酮假NP的生物学特性。我们表明色炔酮定义了一种葡萄糖摄取抑制剂的化学型,选择性地靶向葡萄糖转运蛋白GLUT-1和-3,抑制癌细胞的生长,并有望激发针对肿瘤代谢的新药物发现计划。
  • Detecting Mechanochemical Atropisomerization within an STM Break Junction
    作者:Edmund Leary、Cécile Roche、Hua-Wei Jiang、Iain Grace、M. Teresa González、Gabino Rubio-Bollinger、Carlos Romero-Muñiz、Yaoyao Xiong、Qusiy Al-Galiby、Mohammed Noori、Maria A. Lebedeva、Kyriakos Porfyrakis、Nicolás Agrait、Andrew Hodgson、Simon J. Higgins、Colin J. Lambert、Harry L. Anderson、Richard J. Nichols
    DOI:10.1021/jacs.7b10542
    日期:2018.1.17
    between the two isomers. In the case of SAc, there are no significant differences between the plateau length distributions of the two isomers, and both show maximal stretching distances well exceeding their calculated junction lengths. Contact deformation accounts for part of the extra length, but the results indicate that cis-to-trans conversion takes place in the junction for the cis isomer. The barrier
    我们采用扫描隧道显微镜断裂连接技术来研究在苯环 (S2) 的邻位带有硫代乙酰基 (SAc) 或甲基硫醚 (SMe) 结合基团的 5,15-二芳基卟啉家族的单分子电导率化合物)。对于每种化合物,这些邻位取代基导致两种阻转异构体,顺式和反式,它们在环境条件下在溶液中不会相互转化;即使在高温下,异构化也需要几个小时(SAc 在 C2Cl4D2 中的半衰期在 140 °C 时为 15 小时)。所有 S2 化合物都表现出两个电导基团,与单硫醇化 (S1) 化合物的比较表明,更高的基团来自于金 - 卟啉的直接相互作用。较低的电导组与 S-to-S 通路相关。当结合基团为 SMe 时,结长分布的差异反映了两种异构体之间 SS 距离 (0.3 nm) 的差异。在 SAc 的情况下,两种异构体的平台长度分布之间没有显着差异,并且都显示出最大拉伸距离,远远超过它们计算的连接长度。接触变形占额外长度的一部分,但
  • High density non-volatile memory device
    申请人:Bocian F. David
    公开号:US20050041494A1
    公开(公告)日:2005-02-24
    This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 10 15 bits/cm 3 ), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.
    本发明提供了一种新型的高密度存储器件,可进行电气寻址,实现有效的读写,提供高存储密度(例如,1015比特/厘米3),提供高度的容错性,并可进行高效的化学合成和芯片制造。这些设备本质上是可锁定的、缺陷容忍的,并支持破坏性或非破坏性读取周期。在优选实施例中,该设备包括一个固定电极与一个存储介质电性耦合,该存储介质具有多个不同和可区分的氧化态,通过向存储介质添加或提取一个或多个电子,将数据存储在所述氧化态中。
  • High density memory device
    申请人:Bocian F. David
    公开号:US20060209587A1
    公开(公告)日:2006-09-21
    This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 10 15 bits/cm 3 ), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.
    本发明提供了一种新型的高密度存储器件,具有电学可寻址性,可有效地进行读写操作,提供高存储密度(例如,1015比特/立方厘米),具有高度的容错性,并且适用于高效的化学合成和芯片制造。这些器件本质上是可锁定的、缺陷容忍的,并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中,该器件包括一个固定电极,与一个具有多种不同和可区分氧化态的存储介质电学耦合,通过电学耦合的电极向存储介质中添加或撤回一个或多个电子,将数据存储在所述氧化态中。
  • Cyclodextrin-sandwiched porphyrin
    作者:Yasuhisa Kuroda、Takashi Hiroshige、Takashi Sera、Yasushi Shiroiwa、Hiroyuki Tanaka、Hisanobu Ogoshi
    DOI:10.1021/ja00187a073
    日期:1989.3
查看更多

同类化合物

硫基丙酸苯酯 硫代乙酸S-[4-[二(2-氯乙基)氨基]苯基]酯 硫代乙酸 S-(2-乙基苯基)酯 乙硫酸,[[(1,1-二甲基乙基)二甲基甲硅烷基]氧代]-,S-苯基酯 S1,S2-二(4-氯苯基)乙烷二(硫代ate) S-苯基硫代异丁酸酯 S-苯基3-羟基硫代丁酸酯 S-苯基2-氟硫代乙酸酯 S-硫代乙酸苯酯 S-氯乙酰基-P-巯基甲苯 S-丙酰基-p-疏基甲苯 S-[4-[2-[4-(2-苯乙炔基)苯基]乙炔基]苯基]硫代乙酸酯 S-(三氟乙酰基)-4-疏基甲苯 S-(4-甲基苯基)硫代乙酸酯 S,S′-[1,4-亚苯基二(2,1-乙炔二基-4,1-亚苯基)]双(硫代乙酸酯) O-乙基S-(4-甲基苯基)单硫代草酸酯 4-溴苯基硫代乙酸酯 4-(S-乙酰基硫代)苯甲醛 4,4-二甲基-1-氧代-1-(苯基硫基)-2-戊烷基乙酸酯 3-氧代-3-(4-甲氧基苯氧基)丙酸 2-甲基苯硫酚乙酸酯 1-乙酰巯基-4-碘苯 S-(2-methoxyphenyl) 4-cyclopropylidenebutanethioate phenyl 3-methyl-2-cyclohexene-1-carbothioate S-(2-fluorophenyl) 2-methylpropanethioate 2-isopropylidenedithiosuccinic acid di-S-(4-fluorophenyl) ester thioacetic acid S-(4-ethyl-phenyl ester) S-phenyl 2,3-dimethyl-2-butenethioate 3-phenylsulfanylcarbonyl-propionic acid ethyl ester S-phenyl (3r,5r,7r)-adamantane-1-carbothioate (E)-S-Phenyl 4,4-dimethylpent-2-enethioate S-phenyl 2-(2-methoxyphenyl)ethanethioate S-phenyl (2R,3R)-3-(tert-butyldimethylsiloxy)-2-methyl-3-phenylpropanethioate S-(4-fluorophenyl) thiopivalate S-phenyl 2-methylbutanethioate S-phenyl 3-(phenyl((trimethylsilyl)oxy)amino)-3-(thiophen-2-yl)propanethioate S-phenyl 3-(4-bromophenyl)-3-(phenyl((trimethylsilyl)oxy)amino)propanethioate S-phenyl 3-phenyl-3-(phenyl((triethylsilyl)oxy)amino)propanethioate S-phenyl 3-cyclohexyl-3-(phenyl((trimethylsilyl)oxy)amino)propanethioate S-phenyl 3-(((tert-butyldimethylsilyl)oxy)(phenyl)amino)-3-phenylpropanethioate S-phenyl 3-(4-methoxyphenyl)-3-(phenyl((trimethylsilyl)oxy)amino)propanethioate S-phenyl 3-(phenyl((trimethylsilyl)oxy)amino)-3-(p-tolyl)propanethioate S-phenyl 3-(4-fluorophenyl)-3-(phenyl((trimethylsilyl)oxy)amino)propanethioate S-phenyl 3-phenyl-3-(phenyl((trimethylsilyl)oxy)amino)propanethioate (E)-S-phenyl 5-phenyl-3-(phenyl((trimethylsilyl)oxy)amino)pent-4-enethioate S-phenyl 3-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)propanethioate S-phenyl 2-methyl-3-oxobutanethioate S-phenyl O-acetyl(thioglycolate) 6-Nitro-9-oxodecansaeure-phenylthioester 2-isopropylidenedithiosuccinic acid di-S-p-tolyl ester