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3,3',3''-氧次膦基三丙酰胺 | 4116-00-1

中文名称
3,3',3''-氧次膦基三丙酰胺
中文别名
——
英文名称
Tris(2-carbamoylethyl)phosphinoxid
英文别名
Tris(2-carbamoylethyl)phosphine oxide;3-bis(3-amino-3-oxopropyl)phosphorylpropanamide
3,3',3''-氧次膦基三丙酰胺化学式
CAS
4116-00-1
化学式
C9H18N3O4P
mdl
——
分子量
263.233
InChiKey
RTPJQJWHYUSMRD-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    804.3±60.0 °C(Predicted)
  • 密度:
    1.292±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -4.1
  • 重原子数:
    17
  • 可旋转键数:
    9
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.67
  • 拓扑面积:
    146
  • 氢给体数:
    3
  • 氢受体数:
    4

安全信息

  • 海关编码:
    2931900090

文献信息

  • US4043972A
    申请人:——
    公开号:US4043972A
    公开(公告)日:1977-08-23
  • US5633420A
    申请人:——
    公开号:US5633420A
    公开(公告)日:1997-05-27
  • [EN] ZEOLITE COMPOSITIONS AND METHODS FOR TAILORING ZEOLITE CRYSTAL HABITS WITH GROWTH MODIFIERS<br/>[FR] COMPOSITIONS DE ZÉOLITE ET PROCÉDÉS D'ADAPTATION D'HABITUS CRISTALLINS DE ZÉOLITE À L'AIDE DE MODIFICATEURS DE CROISSANCE
    申请人:UNIV HOUSTON SYSTEM
    公开号:WO2012106675A2
    公开(公告)日:2012-08-09
    Embodiments of the invention generally provide compositions of crystalline zeolite materials with tailored crystal habits and the methods for forming such crystalline zeolite materials. The methods for forming the crystalline zeolite materials include binding one or more zeolite growth modifiers (ZGMs) to the surface of a zeolite crystal, which results in the modification of crystal growth rates along different crystallographic directions, leading to the formation of zeolites having a tailored crystal habit. The improved properties enabled by the tailored crystal habit include a minimized crystal thickness, a shortened internal diffusion pathlength, and a greater step density as compared to a zeolite having the native crystal habit prepared by traditional processes. The tailored crystal habit provides the crystalline zeolite materials with an aspect ratio of about 4 or greater and crystal surfaces having a step density of about 25 steps/µm2 or greater.
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