4,7-bis(3′-dodecyl-[2,2′-bithiophen]-5-yl)benzo[c][1,2,5]thiadiazole | 1399853-88-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 双噻吩和低聚噻吩
• 英文名称: 4,7-bis(3′-dodecyl-[2,2′-bithiophen]-5-yl)benzo[c][1,2,5]thiadiazole
• 英文别名: 4,7-Bis[5-(3-dodecylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]-2,1,3-benzothiadiazole；4,7-bis[5-(3-dodecylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]-2,1,3-benzothiadiazole
• CAS: 1399853-88-3
• 化学式: C₄₆H₆₀N₂S₅
• 分子量: 801.326
• InChiKey: GWOCRPGLYVWMSA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  19.7
• 重原子数：
  53
• 可旋转键数：
  26
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.52
• 拓扑面积：
  167
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  7

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4,7-bis(3′-dodecyl-[2,2′-bithiophen]-5-yl)benzo[c][1,2,5]thiadiazole 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 作用下， 生成 4,7-Bis[5-(5-bromo-3-dodecylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl]-2,1,3-benzothiadiazole
  参考文献：
  名称：

  高电荷载流子迁移率，低带隙供体-受体基于苯并噻二唑-低聚噻吩的高分子半导体

  摘要：

  合成并表征了一系列苯并噻二唑低聚噻吩和低聚（亚噻吩乙烯撑）供体-受体（DA）共聚物。这些低光学带隙材料（〜1.5 eV）能够吸收400–800 nm范围内的光子，并具有良好的热稳定性。使用有机场效应晶体管（OFET）结构确定的空穴迁移率在3个数量级的范围内变化，并且与各个薄膜的分子有序性和形态密切相关。聚（苯并噻二唑-噻吩并噻吩）PBT6的旋涂膜在OFET衬底上呈现出高度结晶的层状π-π堆叠边沿取向，其空穴迁移率约为ca。0.2 cm 2 / V·s。含乙烯的类似物PBT6V2PBT6V2'和PBT6V2'是无定形的，并且显示出非常低的迁移率。PBT6的分子量对电子性能有很大的影响：分子量较低的样品的迁移率比高分子量的同系物低约1个数量级，并且最大吸收值明显偏蓝移。PBT6的空穴迁移率进一步提高了约两倍。图3通过滴铸法制造OFET。用这种方法制造的OFETs的迁移率高达0.75 cm 2 /

  DOI：

  10.1021/cm3021929
• 作为产物：
  描述：

  4,7-二(噻吩-2-基)苯并[c][1,2,5]噻二唑 在 Pd(PPh₃)Cl₂ 、 2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl-lithium 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 4,7-bis(3′-dodecyl-[2,2′-bithiophen]-5-yl)benzo[c][1,2,5]thiadiazole
  参考文献：
  名称：

  高电荷载流子迁移率，低带隙供体-受体基于苯并噻二唑-低聚噻吩的高分子半导体

  摘要：

  合成并表征了一系列苯并噻二唑低聚噻吩和低聚（亚噻吩乙烯撑）供体-受体（DA）共聚物。这些低光学带隙材料（〜1.5 eV）能够吸收400–800 nm范围内的光子，并具有良好的热稳定性。使用有机场效应晶体管（OFET）结构确定的空穴迁移率在3个数量级的范围内变化，并且与各个薄膜的分子有序性和形态密切相关。聚（苯并噻二唑-噻吩并噻吩）PBT6的旋涂膜在OFET衬底上呈现出高度结晶的层状π-π堆叠边沿取向，其空穴迁移率约为ca。0.2 cm 2 / V·s。含乙烯的类似物PBT6V2PBT6V2'和PBT6V2'是无定形的，并且显示出非常低的迁移率。PBT6的分子量对电子性能有很大的影响：分子量较低的样品的迁移率比高分子量的同系物低约1个数量级，并且最大吸收值明显偏蓝移。PBT6的空穴迁移率进一步提高了约两倍。图3通过滴铸法制造OFET。用这种方法制造的OFETs的迁移率高达0.75 cm 2 /

  DOI：

  10.1021/cm3021929

文献信息

• High Charge Carrier Mobility, Low Band Gap Donor–Acceptor Benzothiadiazole-oligothiophene Based Polymeric Semiconductors
  作者：Boyi Fu、Jose Baltazar、Zhaokang Hu、An-Ting Chien、Satish Kumar、Clifford L. Henderson、David M. Collard、Elsa Reichmanis

  DOI：10.1021/cm3021929

  日期：2012.11.13

  Spin-coated films of the poly(benzothiadiazole-sexithiophene) PBT6, which exhibits a highly crystalline lamellar π–π stacked edge-on orientation on the OFET substrate, possesses a hole mobility of ca. 0.2 cm2/V·s. Vinylene-containing analogs PBT6V2 and PBT6V2′ are amorphous and exhibit very low mobilities. The molecular weight of PBT6 has a strong influence on the electronic properties: a sample with

  合成并表征了一系列苯并噻二唑低聚噻吩和低聚（亚噻吩乙烯撑）供体-受体（DA）共聚物。这些低光学带隙材料（〜1.5 eV）能够吸收400–800 nm范围内的光子，并具有良好的热稳定性。使用有机场效应晶体管（OFET）结构确定的空穴迁移率在3个数量级的范围内变化，并且与各个薄膜的分子有序性和形态密切相关。聚（苯并噻二唑-噻吩并噻吩）PBT6的旋涂膜在OFET衬底上呈现出高度结晶的层状π-π堆叠边沿取向，其空穴迁移率约为ca。0.2 cm 2 / V·s。含乙烯的类似物PBT6V2PBT6V2'和PBT6V2'是无定形的，并且显示出非常低的迁移率。PBT6的分子量对电子性能有很大的影响：分子量较低的样品的迁移率比高分子量的同系物低约1个数量级，并且最大吸收值明显偏蓝移。PBT6的空穴迁移率进一步提高了约两倍。图3通过滴铸法制造OFET。用这种方法制造的OFETs的迁移率高达0.75 cm 2 /